dim400nsm33-f000
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: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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绝对 最大 比率
压力 在之上 那些 列表 下面 '绝对 最大 比率' 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.
在 extreme 情况, 作 和 所有 半导体, 这个 将 包含 可能地 hazardous rupture 的 这
包装. 适合的 安全 预防措施 应当 总是 是 followed. 暴露 至 绝对 最大 比率
将 影响 设备 可靠性.
T
情况
= 25°c 除非 陈述 否则
Symbo
l
参数 测试 情况 最大值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 V
GE
=0V 3300 V
V
GES
门-发射级 电压 ±20 V
I
C
持续的 集电级 电流 T
情况
=90 °c 400 一个
I
c(pk)
顶峰 集电级 电流 1ms, t
情况
=115 °c 800 一个
P
最大值
最大值.晶体管 电源
消耗
T
情况
=25 °c, t
j
=150 °c 5.2 kW
V
isol
分开 电压-每 单元 commoned terminals 至 根基 加设护板. 交流 rms,1
最小值,50hz
6000 kV
Q
PD
partial 释放-每 单元 iec1287.v
1
=3500v, v
2
=2600v, 50hz rms 10 pC
热的 和 机械的 比率
内部的 绝缘 材料: AlN
baseplate 材料: AlSiC
creepage 距离: 29mm
clearance: 20mm
cti (核心的 追踪 index) 175
标识
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
Rth(j-c) 热的 阻抗 -晶体管 (每
转变)
持续的 消耗 -
接合面 至 情况
- 24 °c/kw
Rth(j-c) 热的 阻抗 -二极管 (每
转变)
持续的 消耗 -
接合面 至 情况
- 48 °c/kw
Rth(c-h) 热的 阻抗 -情况 至 散热器
(每 单元)
挂载 torque 5nm
(和 挂载 grease)
- 8 °c/kw
Tj 接合面 温度 晶体管 - - 150 °C
二极管 - - 125 °C
Tstg 存储 温度 范围 - -40 - 125 °C
screw torque 挂载 m6 - - 5 Nm
电的 连接 -
M4
- - 2 Nm
电的 连接 -
M8
- - 10 Nm