dim400nsm33-f000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序3/8
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电的 特性
T情况= 25°c 除非 陈述 否则.
Symbo
l
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
ICES
集电级 截-止 电流
VGE=0v,vCE=VCES
2 毫安
VGE=0v,vCE=VCES,t情况=125 °c
30 毫安
IGES
门 泄漏 电流
VGE=
20v,vCE=0V
1 uA
Vge(th)
门 门槛 电压
IC=40ma,v
GE
=V
CE
5.5 6.5 7.0 V
Vce(sat)
†
集电级-发射级 饱和
电压
VGE=15v,iC=400A
2.8 V
VGE=15v,iC=400a,t
VJ
=125 °c
3.6 V
IF
二极管 向前 电流
直流
400 一个
IFM
二极管 最大 向前
电流
tp=1ms
800 一个
VF
†
二极管 向前 电压
IF=400A
2.9 V
IF=400a,t
VJ
=125 °c
3.0 V
Cies
输入 电容
VCE=25v,vGE=0v,f =1mhz
72 nF
Cres
反转 转移 电容
VCE=25v,vGE=0v,f =1mhz
1.1 nF
LM
单元 电感
--
25 nH
RINT
内部的 晶体管 阻抗 260
µ
Ω
SC数据
短的 电路.i sc
Tj
≤
125 °c,v CC=2500v, I1
200
0
一个
tp
10 美国, I2
Vce(最大值)=VCES– l*.di/dt
iec 60747-9
185
0
一个
便条:
†
量过的 在 这 电源 busbars 和 不 这 auxiliary terminals
*
l 是 这 电路 电感 + lM