dim200wks12-a000
6/8
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
www.dynexsemi.com
图. 7 二极管 典型 向前 特性
图. 8反转 偏差 safe 运行 范围
图. 9 diode 反转 偏差 safe 运行 范围 - igbt 和
二极管 arm
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
向前 电压, v
F
- (v)
向前 电流, i
F
- (一个)
T
j
= 25
˚
C
T
j
= 125
˚
C
V
F
是 量过的 在 电源 busbars
和 不 这 auxiliary terminals
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
集电级 发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
T
情况
= 125
˚
C
V
ge
= 15v
R
g
= 4.7 ohms
单元 i
C
碎片 i
C
0
50
100
150
200
250
300
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
反转 电压, v
R
- (v)
反转 恢复 电流, i
rr
- (一个)
T
情况
=125˚C
图. 10瞬时 热的 阻抗
1
10
100
1000
0.001 0.01 10.1
10
脉冲波 宽度, t
p
- (s)
瞬时 热的 阻抗, z
th (j-c)
- (
°
c/kw )
二极管
晶体管
IGBT R
i
(˚c/kw)
τ
i
(ms)
二极管 R
i
(˚c/kw)
τ
i
(ms)
1
2.10
0.11
4.49
0.10
2
11.62
3.14
25.28
3.21
3
43.85
45.60
74.24
38.58
4
29.53
143.02
90.03
113.97