半导体
dim200wbs12-a000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
2
/
10
www.dynexsemi.com
绝对 最大 比率 - 每 arm
压力在之上那些列表下面‘Absolute最大Ratings’将导致永久的损坏至这 设备.
在 extreme 情况, 作 和 所有 半导体, 这个 将 包含 可能地 hazardous rupture 的 这
包装.适合的安全预防措施应当总是是followed.暴露至绝对最大比率
将 影响 设备 可靠性.
tcase = 25°c 除非 陈述 否则
标识 参数 测试 情况 最大值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 V
GE
= 0v 1200 V
V
GES
门-发射级 电压 ±20 V
I
C
持续的 集电级 电流 T
情况
= 80°c 200 一个
I
c(pk)
顶峰 集电级 电流 1ms, t
情况
=115°C 400 一个
P
最大值
最大值 晶体管 电源 消耗 T
情况
= 25°c, t
j
= 150°c 1.435 kW
I
2
t 二极管 i
2
t 值 (igbt arm) V
R
= 0, t
P
= 10ms, t
vj
= 125°c 6.25 kA
2
S
V
isol
分开 电压 – 每 单元 commoned terminals 至 根基 加设护板. 交流 rms, 1 最小值, 50hz 2500 V
: 点此下载
