半导体
dim200wbs12-a000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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电的 特性
T
情况
= 25°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 200a - 600 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 50 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 600v - 20 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 4.7
Ω
- 240 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nH
- 95 - ns
E
O
转变-在 活力 丧失 - 25 - mJ
Q
g
门 承担 - 2 - µC
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 200a, v
R
= 600v, - 30 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 2100a/µs - 125 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 - 13 - mJ
T
情况
= 125°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 200a - 800 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 70 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 600v - 27 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 4.7
Ω
- 385 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nH
- 110 - ns
E
在
转变-在 活力 丧失 - 40 - mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 200a, v
R
= 600v, - 50 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 1900a/µs - 140 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 - 20 - mJ