半导体
dim200pkm33-f000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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电的 特性
T
情况
= 25°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 200a - 1950 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 170 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 1800v - 220 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 16.5
Ω
- 1180 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nH
- 225 - ns
Q
g
门 承担 C
ge
= 56nf - 5 - µC
E
在
转变-在 活力 丧失
R
g(在)
= 7.5
Ω
- 290 - mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 200a, v
R
= 1800v, - 80 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 1600a/µs - 144 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 二极管 arm - 75 - mJ
T
情况
= 125°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 200a - 2200 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 190 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 1800v - 265 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 16.5
Ω
- 1150 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nh, c
ge
= 56nf
- 280 - ns
E
在
转变-在 活力 丧失
R
g(在)
= 7.5
Ω
- 390 - mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 200a, v
R
= 1800v, - 125 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 1600a/µs - 155 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 二极管 arm - 130 - mJ
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