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资料编号:1102441
 
资料名称:2SD602A
 
文件大小: 101K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar type
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3193
2
SJG00039AED
safe 运作 范围 P
D
T
一个
11010
2
10
3
10
1
1
10
10
2
10
3
非 repetitive 脉冲波
T
C
=
25
°
C
流 电流 i
D
(
一个
)
流-源 电压 v
DS
(
V
)
I
D
I
DP
t
=
100
µ
s
10 ms
1 ms
直流
100 ms
0 50 150100
0
120
100
80
60
40
20
电源 消耗 p
D
(
W
)
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
(1) t
C
=
T
一个
(2) 没有 热温 下沉
P
D
=
3 w
(1)
(2)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
二极管 向前 电压 V
DSF
I
DR
=
20 一个, v
GS
=
0
1.4 V
反转 恢复 时间 t
rr
L
=
230
µ
h, v
DD
=
100 v 260 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
DR
=
10 一个, di/dt
=
100 一个/
µ
s 1.8
µ
C
门 承担 加载 Q
g
V
DD
=
100 v, i
D
=
10 一个 90 nC
门-源 承担 Q
gs
V
GS
=
10 v 10 nC
gd
30 nC
热的 阻抗 (ch-c) R
th(ch-c)
1.25
°
c/w
热的 阻抗 (ch-一个) R
th(ch-一个)
41.7
°
c/w
电的 特性 (持续)
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
便条) 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
这个 产品 遵守 和 这 rohs directive (eu 2002/95/ec).
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