2SD2170
晶体管
rev.一个 1/2
中等 电源 晶体管
(发动机, 接转 驱动) (90 , 2a)
+
20
−
10
2SD2170
z
特性
1) 建造-在 齐纳 二极管 在 集电级 和 根基.
2) 齐纳 二极管 有 低 dispersion.
3) 强 保护 相反 反转 电源 surges 预定的 至
"l" 负载.
4) darlington 连接 为 高 直流 电流 增益.
5) 建造-在 电阻 在 根基 和 发射级.
6) 建造-在 调节器 二极管.
z
外部 维度
(单位 : mm)
(3) 发射级
(2) 集电级
(1) 根基
eiaj : sc-62
1.5
0.4
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(
3
)
4.5
(
1
)
(
2
)
0.5
4.0
2.5
1.0
rohm : mpt3
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
限制
90
90
+
20
+
20
−
10
−
10
6
2
3
2
0.5
∗
1
∗
2
150
−
55 至
+
150
单位
V
V
V
一个 (直流)
一个 (脉冲波)
W
°
C
°
C
∗
1
单独的 脉冲波 pw=10ms,职责=1/2
∗
2
当 挂载 在 一个 40 x 40 x 0.7 mm 陶瓷的 板.
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
z
包装 规格 和 h
FE
z
相等的 电路
类型 2SD2170
MPT3
1k 至 10k
T100
1000
DM
包装
h
FE
代号
基本 订货 单位 (片)
标记
R
2
R
1
E
B
C
C
B
E
: 发射级
: 根基
: 集电级
R
1
3.5k
Ω
R
2
300
Ω
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
直流 电流 转移 比率
转变 频率
输出 电容
∗
1 measure 使用 脉冲波 电流.
∗
2 转变 频率 的 这 设备.
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Cob
80
80
−
−
1000
−
−
−
−
−
−
−
80
25
110
110
10
3
10000
−
−
V
V
µ
一个
毫安
−∗
1
∗
2
∗
1
MHz
pF
I
C
=
50
µ
一个
I
C
=
1mA
V
CB
=
70V
V
EB
=
5V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
−−
1.5 V I
C
/i
B
=
1a/1ma
V
CE
=
2v , i
C
=
1A
V
CE
=
5v , i
E
=−
0.1a , f
=
30MHz
V
CB
=
10v , i
E
=
0a , f
=
1MHz
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