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资料编号:1103009
 
资料名称:2SC5824
 
文件大小: 129K
   
说明
 
介绍:
Power transistor (60V, 3A)
 
 


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2SC5824
晶体管
rev.一个 2/3
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
fT
h
FE
C
ob
T
最小值
6
120
200
−−
20
50
1.0
1.0
200
500
390
I
E
=
100
µ
一个
V
CE
=
2v, i
C
=
100mA
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
2a, i
B
=
200mA
I
C
=
3a,
I
B1
=
300mA
I
B2
= −
300mA
V
CC
25V
V
CE
=
10v, i
E
= −
100ma, f
=
10MHz
V
CB
=
10v, i
E
=
0ma, f
=
1MHz
V
µ
一个
µ
一个
MHz
mV
pF
ns
T
stg
150
ns
Tf
30
ns
典型值 最大值
单位
情况
BV
CEO
60
−−
V
I
C
=
1mA
集电级
发射级 损坏 电压
集电级 截-止 电流
直流 电流 增益
转变 频率
集电级 输出 电容
转变-在 时间
存储 时间
下降 时间
发射级 截-止 电流
集电级
发射级 staturation 电压
BV
CBO
60
−−
I
C
=
100
µ
一个
V
集电级
根基 损坏 电压
发射级
根基 损坏 电压
2
1
1
1 非 repetitive 脉冲波
2 看 切换 charactaristics 度量 电路
z
h
FE
分级
QR
120-270 180-390
z
电的 典型的 曲线
图.1 safe 运行 范围
集电级 发射级 电压 : v
CE
(v)
集电级 电流 : i
C
(一个)
单独的 非 repoetitive 脉冲波
直流
1ms
10ms
1100.1 100
10
1
0.1
0.01
0.001
100ms
图.2 切换 时间
1
0.01 0.1
10
1000
100
10
集电级 电流 : i
C
(一个)
切换 时间 (ns)
Ta
=
25
°
C
V
CC
=
25V
I
C
/i
B
=
10/1
Tstg
Tf
Ton
图.3 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流
集电级 电流 : i
C
(一个)
直流 电流 增益 : h
FE
0.001 0.01 0.1 101
1
10
100
1000
Ta
=
125
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
= −
40
°
C
V
CE
=
2V
0.001 0.01 0.1 101
1
10
100
1000
集电级 电流 : i
C
(一个)
直流 电流 增益 : h
FE
V
CE
=
5V
V
CE
=
3V
V
CE
=
2V
图.4 直流 电流 增益 vs. 集电级
电流
Ta
=
25
°
C
0.001 0.01 0.1
0.01
0.1
1
10
集电级 饱和
电压 : v
CE
(sat
)(v)
集电级 电流 : i
C
(一个)
101
图.5 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
I
C
/i
B
=
10/1
Ta
=
125
°
C
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
= −
40
°
C
0.001 0.10.01 101
0.01
0.1
1
10
集电级 电流 : i
C
(
一个)
集电级 饱和
电压 : v
CE
(
sat)(v)
图.6 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
I
C
/i
B
=
10/1
I
C
/i
B
=
20/1
Ta
=
25
°
C
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