2sc4132 / 2sd1857
晶体管
rev.一个 1/3
电源 晶体管 (120v, 1.5a)
2sc4132 / 2sd1857
z
特性
1) 高 损坏 电压. (bv
CEO
= 120v)
2) 低 集电级 输出 电容.
(典型值. 20pf 在 v
CB
= 10v)
3) 高 转变 频率. (f
T
= 80mhz)
4) complements 这 2sb1236.
z
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
参数 标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
限制
120
120
5
2
3
0.5
2
1
150
−
55 至 +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
∗
1
∗
2
∗
3
2SC4132
2SD1857
°
C
°
C
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
∗
1 单独的 脉冲波 pw = 10ms
∗
2 当 挂载 在 一个 40
×
40
×
0.7mm 陶瓷的 板.
∗
3 当 挂载 在 1.7mm 厚 pcb having 集电级 foll 维度 1cm
2
或者 更多.
z
包装 规格 和 h
FE
类型 2SC4132
MPT3
PQR
CB
∗
T100
1000
2SD1857
ATV
QR
−
TV2
2500
∗
denotes h
FE
包装
h
FE
标记
代号
基本 订货 单位 (片)
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : mpt3
eiaj : sc-62
rohm : atv
2SD1857
2SC4132
1.5
(1) 根基(门)
0.4
(2) 集电级(流)
(3) 发射级(源)
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(
3
)
4.5
(
1
)
(
2
)
0.5
4.0
2.5
1.0
0.45
(2) 集电级
1.05
(3) 根基
taping 规格
(1) 发射级
0.5
(
1
)
0.65max.
2.54
(
2
)
2.54
(
3
)
6.8
1.0
14.5
0.9
4.4
2.5
z
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
ce(sat)
f
T
Cob
120
120
5
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
80
20
−
−
−
1
1
2
−
−
V
V
V
µ
一个
µ
一个
V
∗
∗
MHz
pF
I
C
= 50
µ
一个
I
C
= 1ma
I
E
= 50
µ
一个
V
CB
= 100v
V
EB
= 4v
I
C
/i
B
= 1a/0.1a
h
FE
82
−
390
−
V
CE
/i
C
= 5v/0.1a
V
CE
= 5v , i
E
=
−
0.1a , f = 30mhz
V
CB
= 10v , i
E
= 0a , f = 1mhz
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
转变 频率
输出 电容
直流 电流
转移 比率
∗
量过的 使用 脉冲波 电流.
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