mitsubishi rf 电源 单元
rohs 遵从
RA45H4045MR
RA45H4045MR
mitsubishi electric
24 jan 2006
7/8
静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
预防措施, recommendations 和 应用 信息:
构建:
这个 单元 组成 的 一个 alumina 基质 焊接 在 一个 铜 flange. 为 机械的 保护 一个 塑料 cap
是 连结 用 silicone. 这 场效应晶体管 晶体管 碎片是 消逝 绑定 面向 metal, 线 绑定 至 这 基质 和
coated 用 resin. 线条 在 这 substrate (eventually inductors), 碎片 capacitors 和 电阻器 表格 这 偏差 和
相一致 电路. 线 leads 焊接 面向 这alumina 基质 提供 直流 和 rf 连接.
下列的 情况 将要 是 避免:
一个) bending forces 在 这 alumina 基质 (为 example 在 screwing 或者 用 快 热的 改变)
b) 机械的 压力 在 这 线 leads(为 例子 用 第一 焊接 then screwing 或者 用 热的 expansion)
c) defluxing solvents reacting 和这 resin coating 这 场效应晶体管 碎片s (为 例子 trichloroethylene)
d) frequent 开关 切换 causing 热的 expansion 的 这 resin
e) 静电释放, surge, 超（电）压 在 结合体 和 加载 vswr, oscillation, 等
静电释放:
这个 场效应晶体管 单元 是 敏感的 至 静电释放 电压 向下 至 1000v. appropriate 静电释放 预防措施 是 必需的.
挂载:
这 热温 下沉 flatness 将要 是 较少 比 50µm (不 flat 热温 下沉 或者 particles 在 单元 和 热温 下沉 将
导致 这 陶瓷的 基质 在 这 单元 至 裂开 用bending forces, 也 立即 当 screwing 或者 后来的
当 热的 expansion forces 是 增加).
热的 复合 在 单元 和 热温 下沉 是 推荐 为 低 热的 联系 阻抗 和 至
减少 这 bending 压力 在 这 陶瓷的 基质 caused 用 温度 区别 至 这 热温 下沉.
这 单元 将要 第一 是 screwed 至 这 热温 下沉, 一个fter 这个 这 leads 能 是 焊接 至 这 pcb.
m3 screws 是 推荐 和 tightening torque 0.4 至 0.6nm.
焊接 和 defluxing:
这个 单元 是 设计 为 手工的 焊接.
这 leads 将要 是 焊接 之后 这 单元 是 screwed 面向 这 热温 下沉.
这 温度 的 这 含铅的 (终端) 焊接应当 是 更小的 比 350°c 和 shorter 比 3 第二.
ethyl alcohol 是 推荐 为 removing 通量. trichloroethylene solvents 必须 不是 使用 (它们 将 导致
bubbles 在 这 coating 的 这 晶体管碎片 这个 能 lift 止 这 bond 线).
热的 设计 的 这 热温 下沉:
在 p
输出
=45w, v
DD
=12.5v 和 p
在
=50mw 各自 平台 晶体管 运行 情况 是:
平台
P
在
(w)
P
输出
(w)
R
th(ch-情况)
(°c/w)
I
DD
@
η
T
=35%
(一个)
V
DD
(v)
1
st
0.05 2.0 23.0 0.24
2
nd
2.0 12.0 2.4 2.80
3
rd
12.0 45.0 1.2 6.80
12.5
这 频道 温度 的 各自 平台 晶体管 t
ch
= t
情况
+ (v
DD
x i
DD
- p
输出
+ p
在
) x r
th(ch-情况)
是:
T
ch1
= t
情况
+ (12.5v x 0.24a – 2.0w+ 0.05w) x 23.0°c/w = t
情况
+ 24.2 °c
T
ch2
= t
情况
+ (12.5v x 2.80a - 12.0w+ 2.0w) x 2.4°c/w = t
情况
+ 60.0 °c
T
ch3
= t
情况
+ (12.5v x 6.80a - 45.0w+ 12.0w) x 1.2°c/w = t
情况
+ 62.4 °c
为 长 期 可靠性 这 单元 情况 温度 t
情况
是 更好的 保持 在下 90°c. 为 一个 包围的
温度 t
空气
=60°c 和 p
输出
=45w 这 必需的 热的 阻抗 r
th (情况-空气)
= ( t
情况
- t
空气
) / ( (p
输出
/
η
T
) -
P
输出
+ p
在
) 的 这 热温 下沉, 包含这 联系 阻抗, 是:
R
th(情况-空气)
= (90°c - 60°c) / (45w/35% – 45w + 0.05w) = 0.36 °c/w
当 挂载 这 单元 和 这 热的 阻抗的 0.36 °c/w, 这 频道 温度 的 各自 平台
晶体管 是:
T
ch1
= t
空气
+ 54.2 °c
T
ch2
= t
空气
+ 90.0 °c
T
ch3
= t
空气
+ 92.4 °c
175°c 最大 比率 为 这 频道 temperature 确保 应用 下面 derated 情况.
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