mitsubishi <intelligent 电源 modules>
PM50B6LB060
flat-根基 类型
insulated 包装
oct. 2005
参数
标识
供应 电压 保护 用
SC
供应 电压 (surge)
存储 温度
分开 电压
情况
V
cc(surge)
T
stg
V
iso
比率
V
cc(prot)
450
500
–40 ~ +125
2500
单位
V
°
C
V
rms
V
V
D
= 13.5 ~ 16.5v, 反相器 部分,
T
j
= +125
°
c 开始
应用 在 : p-n, surge 值
60hz, sinusoidal, charged 部分 至 根基, 交流 1 最小值
至TAL系统
0.95
1.61
0.95
0.95
1.61
0.038
°
c/w
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(j-c)f
R
th(c-f)
反相器 igbt 部分 (每 1/4 单元) (便条-1)
反相器 fwdi 部分 (每 1/4 单元) (便条-1)
转换器 igbt 部分 (便条-1)
转换器 fwdi upper 部分 (便条-1)
转换器 fwdi 更小的 部分 (便条-1)
情况 至 fin, (每 1 单元)
热的 grease 应用 (便条-1)
标识
情况
单位
最小值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
抵制
热的 抵制
联系 热的 阻抗
(便条-1) tc (下面 这 碎片) 度量 要点 是 在下.
参数
限制
Typ. 最大值
2.3
2.0
3.3
1.4
0.2
0.4
1.8
0.4
1
10
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级
饱和 电压
集电级-发射级
截止 电流
–I
C
= 50a, v
D
= 15v, v
CIN
= 15v (图. 2)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
电的 特性
(tj = 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
参数
标识
情况
V
ce(sat)
I
CES
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
限制
—
—
—
0.3
—
—
—
—
—
—
1.7
1.55
2.2
0.7
0.1
0.2
0.9
0.2
—
—
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
fwdi 向前 电压
切换 时间
V
D
= 15v, v
CIN
= 0v
↔
15V
V
CC
= 300v, i
C
= 50a
T
j
= 125
°
C
inductive 加载 (图. 3,4)
V
CE
= v
CES
, v
CIN
= 15v
(图. 5)
V
D
= 15v, i
C
= 50a
V
CIN
= 0v (图. 1)
V
毫安
V
µ
s
单位
向上
IGBT
32.7
–10.0
VP WP UN VN WN BN
FWDi
32.2
–0.2
IGBT
62.8
–8.8
FWDi
63.3
–2.0
FWDi
82.9
–8.4
IGBT
38.8
8.0
FWDi
39.3
0.8
IGBT
53.0
3.8
FWDi
52.5
–2.8
IGBT
75.6
3.8
FWDi
75.1
–2.8
IGBT
18.1
–10.0
FWDi
25.9
–8.4
arm
axis
X
Y
(单位 : mm)
BP
FWDi
21.8
6.8
bottom 视图