mitsubishi <intelligent 电源 modules>
PM50B6LB060
flat-根基 类型
insulated 包装
oct. 2005
10
–3
10
0
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–3
23 57
10
–2
23 57
10
–1
10
–5
23 57
10
–4
23 57 23 57
10
0
23 57
10
1
10
–3
10
0
7
5
3
2
10
–2
7
5
3
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–1
7
5
3
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–3
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–1
10
–5
23 57
10
–4
23 57 23 57
10
0
23 57
10
1
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
10
–2
10
–1
7
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0
7
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7
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10
–1
10
0
7
5
3
2
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1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
0
10
2
7
5
3
2
0
10
1
7
5
3
2
0.5 1 1.5 2 2.5
V
D
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
rr
V
CC
= 300v
V
D
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
inductive 加载
t
rr
10
0
23 57
10
1
23 57
10
2
10
–3
10
–2
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
V
CC
= 300v
V
D
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
inductive 加载
E
rr
单独的 脉冲波
每 单位 根基 = r
th(j – c)q
= 0.95
°
c/W
单独的 脉冲波
每 单位 根基 = r
th(j – c)f
= 1.61
°
c/W
集电级 反转 电流 –i
C
(一个)
发射级-集电级 电压 v
EC
(v)
fwdi 向前 电压 特性
(典型)
反转 恢复 丧失 e
rr
(mj/脉冲波)
集电级 反转 电流–I
C
(一个)
fwdi 反转 恢复 丧失 特性
(典型)
fwdi 反转 恢复 特性
(典型)
集电级 电流 i
C
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
反转 恢复 电流 l
rr
(一个)
时间
(s)
瞬时 热的
阻抗 特性
(igbt 部分)
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th (j – c)
时间
(s)
瞬时 热的
阻抗 特性
(fwdi 部分)
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th (j – c)
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