mitsubishi <intelligent 电源 modules>
PM50B4LB060
flat-根基 类型
insulated 包装
oct. 2005
参数
标识
供应 电压 保护 用
SC
供应 电压 (surge)
存储 温度
分开 电压
情况
V
cc(surge)
T
stg
V
iso
比率
V
cc(prot)
450
500
–40 ~ +125
2500
单位
V
°
C
V
rms
V
V
D
= 13.5 ~ 16.5v, 反相器 部分,
T
j
= +125
°
c 开始
应用 在 : p-n, surge 值
60hz, sinusoidal, charged 部分 至 根基, 交流 1 最小值
2.3
2.0
3.3
1.4
0.2
0.4
1.8
0.4
1
10
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级
饱和 电压
集电级-发射级
截止 电流
–I
C
= 50a, v
D
= 15v, v
CIN
= 15v (图. 2)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
电的 特性
(tj = 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
参数
标识
情况
V
ce(sat)
I
CES
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
限制
—
—
—
0.3
—
—
—
—
—
—
1.7
1.55
2.2
0.7
0.1
0.2
0.9
0.2
—
—
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
fwdi 向前 电压
切换 时间
V
D
= 15v, v
CIN
= 0v
↔
15V
V
CC
= 300v, i
C
= 50a
T
j
= 125
°
C
inductive 加载 (图. 3,4)
V
CE
= v
CES
, v
CIN
= 15v
(图. 5)
V
D
= 15v, i
C
= 50a
V
CIN
= 0v (图. 1)
至TAL系统
V
毫安
V
µ
s
单位
0.95
1.61
0.038
°
c/w
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(c-f)
反相器 igbt 部分 (每 1/4 单元) (便条-1)
反相器 fwdi 部分 (每 1/4 单元) (便条-1)
情况 至 fin, (每 1 单元)
热的 grease 应用 (便条-1)
标识
情况
单位
最小值
—
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
抵制
热的 抵制
联系 热的 阻抗
(便条-1) tc (下面 这 碎片) 度量 要点 是 在下.
参数
限制
Typ. 最大值
向上
IGBT
31.1
–10.0
VP UN VN
FWDi
30.6
–2.2
IGBT
61.0
–10.0
FWDi
60.5
–2.2
IGBT
38.2
8.0
FWDi
40.7
0.2
IGBT
52.9
8.0
FWDi
50.4
0.2
arm
axis
X
Y
(单位 : mm)
bottom 视图