mitsubishi 半导体 <gaas 场效应晶体管>
MGFS45V2527A
2.5 - 2.7ghz 带宽 32w 内部 matched gaas 场效应晶体管
描述
这 mgfs45v2527 是 一个 内部 阻抗-matched
gaas 电源 场效应晶体管 特别 设计 为 使用 在 2.5 - 2.7
ghz 带宽 放大器.这 hermetically sealed metal-陶瓷的
包装 guarantees 高 可靠性.
特性
类 一个 运作
内部 matched 至 50(ohm) 系统
高 输出 电源
p1db = 32w (典型值.)
@
f=2.5 - 2.7 ghz
高 电源 增益
glp = 12 db (典型值.)
@
f=2.5 - 2.7ghz
高 电源 增加 效率
p.一个.e. = 45 % (典型值.)
@
f=2.5 - 2.7ghz
低 扭曲量 [item -51]
im3=-45dbc(典型值.) @po=34.5dbm s.c.l.
应用
item 01 : 2.5 - 2.7 ghz 带宽 电源 放大器
item 51 : 2.5 - 2.7 ghz 带宽 数字的 无线电 交流
质量 等级
IG
推荐 偏差 情况
vds = 10 (v)
id = 6.5 (一个)
rg=25 (ohm)
绝对 最大 比率
(ta=25deg.c)
< 保持 安全 第一 在 your 电路 designs! >
mitsubishi electric 公司 puts 这 最大 努力 在
标识 参数 比率 单位
制造 半导体 产品 更好的 和 更多 可依靠的,
VGDO 门 至 流 电压 -15 V
但是 那里 是 总是 这 possibility 那 trouble 将 出现
VGSO 门 至 源 电压 -15 V
和 它们.trouble 和 半导体 将 含铅的 至 个人的
ID 流 电流 22 一个
伤害, fire 或者 所有物 损坏. remember 至 给 预定的
IGR 反转 门 电流 -61 毫安
仔细考虑 至 安全 当 制造 your 电路 设计,
IGF 向前 门 电流 76 毫安
和 适合的 measures 此类 作 (1)placement 的
pt *1 总的 电源 消耗 88 W
substitutive, auxiliary 电路, (2)使用 的 非-flammable
Tch 频道 温度 175 deg.c
材料 或者 (3)prevention 相反 任何 运转 或者 mishap.
Tstg 存储 温度 -65 / +175 deg.c
*1 : tc=25deg.c
电的 caracteristics
(ta=25deg.c)
标识 参数 测试 情况
限制 单位
最小值 典型值 最大值
vgs(止) saturated 流 电流 vds = 3v , id = 60ma - - -5 V
P1dB
输出 电源 在 1db 增益
压缩
44 45 - dBm
GLP 直线的 电源 增益 vds=10v, id(rf 止)=6.5a, f=2.5 - 2.7ghz 11 12 - dB
ID 流 电流 - 7.5 - 一个
p.一个.e. 电源 增加 效率 - 45 - %
im3 *2 3rd 顺序 im 扭曲量 -42 -45 - dBc
rth(ch-c) *3
热的 阻抗 delta vf 方法 - - 1.5
deg.c/w
*2 : item -51,2 声调 测试,po=34.5dbm 单独的 运输车 水平的,f=2.5,2.6,2.7ghz,dfelta f=5mhz
*3 : 频道-情况
六月-'04
MITSUBISHI
ELECTRIC
7PKVOKNNKOGVGTUKPEJGU
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