jan. 2000
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63826p/fp/gp
7-单位 500ma darlington 晶体管-排列 和 clamp 二极管
职责 循环-集电级 特性
(m63826gp)
职责 循环 (%)
集电级 电流Ic(毫安)
职责 循环-集电级 特性
(m63826gp)
职责 循环 (%)
集电级 电流Ic(毫安)
集电级 电流 ic
C
(毫安)
直流 放大器 因素h
FE
grounded 发射级 转移 特性
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
输入 电压 v
I
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
输入 特性
输入 电压 v
I
(v)
输入 电流I
I
(毫安)
夹紧 二极管 特性
向前 偏差 电压 v
F
(v)
向前 偏差 电流 i
F
(毫安)
1
2
3
4
5
6
7
0
100
20 40 60 80
500
400
300
200
100
0
0
100
20 40 60 80
1
2
3
4
5
6
7
10
1
10
2
10
3
10
2
10
3
10
4
2 3 57 2 3 57
2
3
5
7
2
3
5
7
0
1 234 5
0510
20
15 25
0
0.5
1.0 1.5 2.0
500
400
300
200
100
0
•这 集电级 电流 值
代表 这 电流 每 电路.
•重复的 频率
≥
10Hz
•这 值 这 circle 代表 这
值 的 这 同时发生地-运作 电路.
•ta = 25
°
C
500
400
300
200
100
0
•
这 集电级 电流 值
代表 这 电流 每 电路.
•
重复的 频率
≥
10Hz
•
这 值 这 circle 代表 这 值 的
这 同时发生地-运作 电路.
•
ta = 85
°
C
0
400
300
200
100
0
500
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
ta = –40
°
C
4
3
2
1
0
ta = –40
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
ta = –40
°
C
V
CE
= 4v
ta = 85
°
C
ta = –40
°
C
ta= 25
°
C
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