jan. 2000
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63815p/fp/kp
8-单位 300ma 晶体管 排列 和 clamp 二极管
grounded 发射级 转移 特性
输入 电压 v
I
(v)
集电级 电流Ic(毫安)
grounded 发射级 转移 特性
输入 电压 v
I
(v)
集电级 电流Ic(毫安)
夹紧 二极管 特性
向前 偏差 电压 v
F
(v)
向前 bisa 电流I
F
(毫安)
50
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
250
200
150
100
50
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
集电级 电流 ic (毫安)
直流 放大器 因素 h
FE
100
80
60
40
20
0
0 0.05 0.10 0.15 0.20
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
23 57 2357
2
3
5
7
2
3
5
7
10
3
23 57
I
I
= 2ma
ta = –40
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
V
CE
10V
024 68 1210
V
CE
= 4v
ta = –40
°
C
048121620
V
CE
= 4v
ta = 85
°
C
ta = –40
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
ta = –40
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C