jan. 2000
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63812p/fp/gp/kp
7-单位 300ma 晶体管 排列 和 clamp 二极管
职责 循环-集电级 特性
(m63812gp/kp)
职责 循环 (%)
集电级 电流Ic(毫安)
职责 循环-集电级 特性
(m63812gp/kp)
职责 循环 (%)
集电级 电流Ic(毫安)
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
集电级 电流 ic (毫安)
直流 放大器 因素 h
FE
400
300
200
100
0
0
100
20 40 60 80
1
~
2
4
5
6
7
3
•这 集电级 电流 值
代表 这 电流 每 电路.
•重复的 频率
≥
10Hz
•这 值 这 circle 代表 这 值 的
这 同时发生地-运作 电路.
•ta = 25
°
C
400
300
200
100
0
0
100
20 40 60 80
1
2
3
4
5
6
7
•这 集电级 电流 值
代表 这 电流 每 电路.
•重复的 频率
≥
10Hz
•这 值 这 circle 代表 这 值 的
这 同时发生地-运作 电路.
•ta = 85
°
C
250
200
150
100
50
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
ta = 25
°
C
I
B
= 0.5ma
I
B
= 1ma
I
B
= 1.5ma
I
B
= 3ma
I
B
= 2ma
100
80
60
40
20
0
0 0.05 0.10 0.15 0.20
ta = 25
°
C
V
I
= 12v
V
I
= 16v
V
I
= 20v
V
I
= 24v
V
I
= 32v
V
I
= 28v
100
80
60
40
20
0
0 0.05 0.10 0.15 0.20
ta = 85
°
C
I
I
= 2ma
ta = 25
°
C
ta = –40
°
C
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
23 57 23 57
2
3
5
7
2
3
5
7
10
3
23 57
V
CE
10V
ta = 25
°
C
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