jan. 2000
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63812p/fp/gp/kp
7-单位 300ma 晶体管 排列 和 clamp 二极管
职责 循环 非 更多 比 45%
职责 循环 非 更多 比 100%
职责 循环 非 更多 比 30%
职责 循环 非 更多 比 100%
职责 循环 非 更多 比 24%
职责 循环 非 更多 比 100%
职责 循环 非 更多 比 24%
职责 循环 非 更多 比 100%
ton toff
50%50%
50%50%
输出
输入
(1)脉冲波 发生器 (pg) 特性 : prr = 1khz,
tw = 10
µ
s, tr = 6ns, tf = 6ns, zo = 50
Ω
, v
IH
= 18v
(2)输入-输出 情况 : r
L
=220
Ω
,vo=35v
(3)静电的 capacity c
L
包含 floating 电容 在
连接 和 输入 电容 在 探查
输出
输入 Vo
量过的 设备
PG
50
Ω
R
L
C
L
打开
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –40 ~ +85
°
c)
V
(br) ceo
V
在(在)
V
R
I
R
h
FE
V
V
V
µ
一个
—
35
—
—
13
—
—
50
—
—
—
19
1.2
—
—
—
0.2
0.8
23
2.0
10
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
V
定时 图解
便条 1 测试 电路
集电级-发射级 损坏 电压
“on” 输入 电压
夹紧 二极管 向前 volltage
夹紧 二极管 反转 电流
直流 放大器 因素
I
CEO
= 10
µ
一个
I
在
= 1ma, i
C
= 10ma
I
在
= 2ma, i
C
= 150ma
I
在
= 1ma, i
C
= 10ma
I
F
= 250ma
V
R
= 35v
V
CE
= 10v, i
C
= 10ma
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
V
O
V0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
250
160
250
130
250
120
250
120
30
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
输出 电压
毫安
V
I
C
V
在
输入 电压
集电级 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 7 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
M63812P
M63812FP
M63812GP
M63812KP
ns
ns
—
—
140
240
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
转变-在 时间
转变-止 时间
t
在
t
止
C
L
= 15pf (便条 1)
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
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