jan. 2000
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
M63807P
M63807FP
M63807KP
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63807p/fp/kp
8-单位 300ma 晶体管 排列
职责 循环 非 更多 比 50%
职责 循环 非 更多 比 100%
职责 循环 非 更多 比 30%
职责 循环 非 更多 比 100%
职责 循环 非 更多 比 12%
职责 循环 非 更多 比 100%
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –40 ~ +85
°
c)
V
(br) ceo
V
在(在)
h
FE
V
V
—
35
—
—
7.5
50
—
—
—
11.0
—
—
0.2
0.8
15.0
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
V
集电级-发射级 损坏 电压
“on” 输入 电压
直流 放大器 因素
I
CEO
= 10
µ
一个
I
在
= 1ma, i
C
= 10ma
I
在
= 2ma, i
C
= 150ma
I
在
= 1ma, i
C
= 10ma
V
CE
= 10v, i
C
= 10ma
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和 电压
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
V
O
V0
0
0
0
0
0
0
0
—
—
—
—
—
—
—
—
35
250
170
250
130
250
100
30
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
输出 电压
毫安
V
I
C
V
在
输入 电压
集电级 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 8 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
M63807P
M63807FP
M63807KP
ns
ns
—
—
120
240
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
转变-在 时间
转变-止 时间
t
在
t
止
C
L
= 15pf (便条 1)
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
集电级-发射级 电压
集电级 电流
输入 电压
电源 消耗
运行 温度
存储 温度
V
毫安
V
W
°
C
°
C
–0.5 ~ +35
300
–0.5 ~ +35
1.79
1.10
0.68
–40 ~ +85
–55 ~ +125
RatingsSymbol 参数 情况 单位
绝对 最大 比率
(除非 否则 指出, ta = –40 ~ +85
°
c)
输出, h
电流 每 电路 输出, l
V
CEO
I
C
V
I
P
d
T
opr
T
stg
ta = 25
°
c, 当 挂载
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