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jan. 2000
初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m63806p/fp/kp
8-单位 300ma 晶体管 排列
grounded 发射级 转移 特性
输入 电压  v
I
(v)
集电级 电流  ic (毫安)
grounded 发射级 转移 特性
输入 电压  v
I
(v)
集电级 电流  ic (毫安)
50
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压  v
ce(sat)
(v)
集电级 电流  ic (毫安)
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
集电级 电流  ic (毫安)
直流 放大器 因素  h
FE
100
80
60
40
20
0
0 0.05 0.10 0.15 0.20
10
0
10
1
10
2
10
1
10
2
10
3
23 57 2357
2
3
5
7
2
3
5
7
10
3
23 57
I
I
= 2ma
ta = –40
°
C
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
V
CE
10V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
CE
= 4v
ta = 25
°
C
ta = 85
°
C
ta = –40
°
C
012345
V
CE
= 4v
ta = 85
°
C
ta = 25
°
C
ta = –40
°
C

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jan. 2000 初步的注意: 这个是不一个最终规格. 一些参数限制是主题至改变. mitsubishi 半导体 <晶体管排列> m63806p/fp/kp 8-单位 300ma 晶体管排列 grounded 发射级转移特性输入电压 v I (v) 集电级电流 ic (毫安) grounded 发射级转移特性输入电压 v I (v) 集电级电流 ic (毫安) 50 40 30 20 10 0 250 200 150 100 50 0 输出饱和电压集电级电流特性输出饱和电压 v ce(sat) (v) 集电级电流 ic (毫安) 直流放大器因素集电级电流特性集电级电流 ic (毫安) 直流放大器因素 h FE 100 80 60 40 20 0 0 0.05 0.10 0.15 0.20 10 0 10 1 10 2 10 1 10 2 10 3 23 57 2357 2 3 5 7 2 3 5 7 10 3 23 57 I I = 2ma ta = –40 ° C ta = 25 ° C ta = 85 ° C ta = 25 ° C V CE 10V 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 V CE = 4v ta = 25 ° C ta = 85 ° C ta = –40 ° C 012345 V CE = 4v ta = 85 ° C ta = 25 ° C ta = –40 ° C

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