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资料编号:1103444
 
资料名称:RD70HVF1
 
文件大小: 51K
   
说明
 
介绍:
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz70W 520MHz,50W
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.1999
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三-阶段
运作
直流
运作
三-阶段
运作
resistive, inductive 加载
resistive, inductive 加载
直流
运作
单独的-阶段
运作
单独的-阶段
运作
mitsubishi 二极管 modules
rm150dz/cz/uz-m,-h,-24.-2h
高 电源 一般 使用
insulated 类型
效能 曲线
最大 向前 典型的 容许的 surge (非-repetitive)
向前 电流
向前 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
向前 电压 (v)
最大 瞬时 热的 阻抗
(接合面 至 情况)
最大 电源 消耗
时间 (s) 平均 向前 电流 (一个)
容许的 情况 温度
vs. 平均 向前 电流
情况 温度 (
°
c)
平均 向前 电流 (一个)
瞬时 热的 阻抗
(
°
c/w)
surge (非-repetitive)
向前 电流 (一个)
电源 消耗 (w)
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