mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD16HHF1
rohs 遵从,
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 30mhz,16w
RD16HHF1
mitsubishi electric
10 jan 2006
静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
典型 特性
channnel 消耗 vs.
包围的 温度
0
20
40
60
80
0 40 80 120 160 200
包围的 温度 ta(°c)
频道 消耗
pch(w)
Ta=+25°C
f=1MHz
Ta=+25°C
f=1MHz
vgs-ids 特性
0
2
4
6
8
10
0246810
vgs(v)
ids(一个)
Vds=10V
Ta=+25°C
vds vs. crss 特性
0
2
4
6
8
10
0102030
vds(v)
crss(pf)
vds vs. coss 特性
0
20
40
60
80
100
0102030
vds(v)
coss(pf)
vds vs. ciss 特性
0
10
20
30
40
50
60
0 102030
vds(v)
ciss(pf)
Ta=+25°C
f=1MHz
Ta=+25°C
f=1MHz
Ta=+25°C
f=1MHz
vds-ids 特性
0
2
4
6
8
0246810
vds(v)
ids(一个)
Ta=+25°C
Vgs=10V
Vgs=8V
Vgs=7V
Vgs=5V
Vgs=6V
Vgs=9V
3/8
: 点此下载
