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mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
RD16HHF1
rohs 遵从,
硅 场效应晶体管 电源 晶体管 30mhz,16w
RD16HHF1
mitsubishi electric
10 jan 2006
静电的 敏感的 设备
注意到 处理 预防措施
测试 电路(f=30mhz)
RD16HHF1
c2:470pf*2 在 并行的
C1:100pF,0.022uF,0.1uF在 p一个rallel
非te:bo一个rdm一个terial-teflon substrate
l5:5turns,i.d5.6mm,d0.9mm,p=1mm 铜 线
l4:4turns,i.d5.6mm,d0.9mm,p=0.5mm 铜 线
l3:9turns,i.d5.6mm,d0.9mm 铜 线
L1:10转变,i.d 8mm,d 0.9mmcopper wire
C2
C1
C1
C1
C1
C2
l2:10turns,i.d6mm,d1.6mm silver plateted 铜 线
rf-输出
rf-在
67
45
100
200pF
L4
100pF
1 ohm
L3
220pF
20pF
82pF
1k ohm
L2
L1
8.2k ohm
85
75
15
1.5
维度:mm
Vdd
Vgg
330uf,50v
微观的 strip 线条 宽度=4.2mm/50 ohm,er:2.7,t=1.6mm
34
41
43
5
15
65
/
100pF
220pF
10uF,50V*3pcs
91
100pF
200pF
88pF
L5
90
100
68pF
5/8

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mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管 RD16HHF1 rohs 遵从, 硅场效应晶体管电源晶体管 30mhz,16w RD16HHF1 mitsubishi electric 10 jan 2006 静电的敏感的设备注意到处理预防措施测试电路(f=30mhz) RD16HHF1 c2:470pf2 在并行的 C1:100pF,0.022uF,0.1uF在 p一个rallel 非te:bo一个rdm一个terial-teflon substrate l5:5turns,i.d5.6mm,d0.9mm,p=1mm 铜线 l4:4turns,i.d5.6mm,d0.9mm,p=0.5mm 铜线 l3:9turns,i.d5.6mm,d0.9mm 铜线 L1:10转变,i.d 8mm,d 0.9mmcopper wire C2 C1 C1 C1 C1 C2 l2:10turns,i.d6mm,d1.6mm silver plateted 铜线 rf-输出 rf-在 67 45 100 200pF L4 100pF 1 ohm L3 220pF 20pF 82pF 1k ohm L2 L1 8.2k ohm 85 75 15 1.5 维度:mm Vdd Vgg 330uf,50v 微观的 strip 线条宽度=4.2mm/50 ohm,er:2.7,t=1.6mm 34 41 43 5 15 65 / 100pF 220pF 10uF,50V3pcs 91 100pF 200pF 88pF L5 90 100 68pF 5/8

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