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 mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管
静电的 敏感的 设备
RD00HVS1
rohs 遵从, 硅 场效应晶体管 电源 晶体管 175mhz,0.5w
RD00HVS1
mitsubishi electric
10 jan 2006
注意到 处理 预防措施
测试 电路(f=175mhz)
微观的 strip 线条 宽度=1.0mm/50 ohm,er:4.8,t=0.6mm
便条:板 材料-glass epoxi 基质
L4: enameled线7Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d
l2:lqg11a68n(68nh,murata)
L3: enameled线9Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d
L4
L3
20.5mm
270OHM
L2
18.0mm
rf-输出
C1
C2 10uf,50v
10.5mm 4.5mm
4mm
4mm
6.5mm
15mm
L1: enameled线4Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d
240pF
4.7kohm
18.0mm
Vgg
Vdd
250pF
Rf-在
180pF
2mm
18pF
10pF
3pF
4mm
L1
5mm
4.0mm
RD00HVS1
C1,c2:1000pF,0.022uF在 parallel
19.5mm
18pF
测试 电路(f=520mhz)
4/6

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mitsubishi rf 电源 mos 场效应晶体管静电的敏感的设备 RD00HVS1 rohs 遵从, 硅场效应晶体管电源晶体管 175mhz,0.5w RD00HVS1 mitsubishi electric 10 jan 2006 注意到处理预防措施测试电路(f=175mhz) 微观的 strip 线条宽度=1.0mm/50 ohm,er:4.8,t=0.6mm 便条:板材料-glass epoxi 基质 L4: enameled线7Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d l2:lqg11a68n(68nh,murata) L3: enameled线9Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d L4 L3 20.5mm 270OHM L2 18.0mm rf-输出 C1 C2 10uf,50v 10.5mm 4.5mm 4mm 4mm 6.5mm 15mm L1: enameled线4Turns,d:0.43mm,2.46mmO.d 240pF 4.7kohm 18.0mm Vgg Vdd 250pF Rf-在 180pF 2mm 18pF 10pF 3pF 4mm L1 5mm 4.0mm RD00HVS1 C1,c2:1000pF,0.022uF在 parallel 19.5mm 18pF 测试电路(f=520mhz) 4/6

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