jul. 2005
mitsubishi hvigbt modules
cm1200dc-34n
高 电源 切换 使用
insulated 类型
hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
4th-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
电容 特性
(
典型
)
集电级-发射级 电压
(
V
)
电容
(
nF
)
门 承担 特性
(
典型
)
门 承担
(
µ
C
)
门-发射级 电压
(
V
)
集电级 电流
(
一个
)
切换 energies
(m
j/脉冲波
)
half-桥
切换 活力 特性
(
典型
)
门 阻抗
(
Ω
)
切换 energies
(m
j/脉冲波
)
half-桥
切换 活力 特性
(
典型
)
20
16
12
8
4
0
4620810
2000
1600
1200
800
400
0
684201012
1000
1200
800
600
400
200
0
1200 16008004000 2000 2400
10
2
10
3
10
1
10
0
10
0
10
-1
23 57
10
1
10
2
23 57 23 57
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
C
res
C
oes
C
ies
V
GE
= 0v, t
j
= 25
°
C
f = 100khz
V
CC
= 850v, i
C
= 1200a
T
j
= 25
°
C
V
CC
= 850v, v
GE
=
±
15V
R
g(在)
= 1.3
Ω
, r
g(止)
= 3.3
Ω
T
j
= 125
°
c, inductive 加载
V
CC
= 850v, i
C
= 1200a
V
GE
=
±
15V
T
j
= 125
°
c, inductive 加载
E
在
E
在
E
止
E
止
E
rec
E
rec
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