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资料编号:1103849
 
资料名称:LTC4007EGN
 
文件大小: 245K
   
说明
 
介绍:
4A, High Efficiency,Standalone Li-Ion Battery Charger
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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LTC4007
4007f
denotes 规格 这个 应用 在 这 全部 运行
温度 范围 (便条 4), 否则 规格 是 在 t
一个
= 25
°
c. v
DCIN
= 20v, v
BAT
= 12v 除非 否则 指出.
电的 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 comparators i
CMP
和 i
REV
I
TMAX
最大 电流 sense 门槛 (v
CSP
– v
BAT
)v
ITH
= 2.5v
140 165 200 mV
I
TREV
反转 电流 门槛 (v
CSP
– v
BAT
) –30 mV
电流 sense 放大器, ca2
跨导 1 mmho
源 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v 40
µ
一个
下沉 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v 40
µ
一个
电流 限制 放大器
跨导 1.4 mmho
V
CLP
电流 限制 门槛
93 100 107 mV
I
CLP
clp 输入 偏差 电流 100 nA
电压 错误 放大器, ea
跨导 1 mmho
下沉 电流 量过的 在 i
TH
, v
ITH
= 1.4v 36
µ
一个
OVSD 超(电)压 关闭 门槛 作 一个 百分比
102 107 110 %
的 编写程序 charger 电压
输入 p-频道 场效应晶体管 驱动器 (infet)
dcin 发现 门槛 (v
DCIN
– v
CLN
) dcin 电压 ramping 向上
0 0.17 0.25 V
从 v
CLN
– 0.1v
向前 规章制度 电压 (v
DCIN
– v
CLN
)
25 50 mV
反转 电压 转变-止 电压 (v
DCIN
– v
CLN
) dcin 电压 ramping 向下
–60 –25 mV
infet “on” 夹紧 电压 (v
DCIN
– v
INFET
)i
INFET
= 1
µ
一个
5 5.8 6.5 V
infet “off” 夹紧 电压 (v
DCIN
– v
INFET
)i
INFET
= –25
µ
一个 0.25 V
Thermistor
NTCVR 涉及 电压 在 样本 时间 4.5 V
高 门槛 V
NTC
Rising
NTCVR NTCVR NTCVR V
• 0.48 • 0.5 • 0.52
低 门槛 V
NTC
下落
NTCVR NTCVR NTCVR V
• 0.115 • 0.125 • 0.135
thermistor 使不能运转 电流 V
NTC
10V 10
µ
一个
指示信号 输出 (acp, chg, 标记, lobat, i
CL
, 故障
C10TOL 标记 (c/10) 精度 电压 下落 在 prog
0.375 0.397 0.420 V
LBTOL lobat 门槛 精度 3c4c = 0v, chem = 0v
7.10 7.32 7.52 V
3c4c = 0v, chem = 打开
7.27 7.50 7.71 V
3c4c = 打开, chem = 0v
9.46 9.76 10.10 V
3c4c = 打开, chem = 打开
9.70 10 10.28 V
重新开始 门槛 精度 3c4c = 0v, chem = 0v
11.13 11.42 11.65 V
3c4c = 0v, chem = 打开
11.40 11.70 11.94 V
3c4c = 打开, chem = 0v
14.84 15.23 15.54 V
3c4c = 打开, chem = 打开
15.20 15.60 15.92 V
I
CL
门槛 精度 83 93 1O5 mV
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