9
LTC4414
4414f
V
在
地
CTL
SENSE
门
STAT
7
3
2
6
8
1
LTC4414
电池
CHARGER
p-频道
场效应晶体管
C
输出
至 加载
状态 输出
是 低 当 一个
wall adapter
是 呈现
47k
*drain-源 二极管 的 场效应晶体管
4414 f02
V
CC
电池
cell(s)
*
WALL
ADAPTER
输入
V
在
地
CTL
SENSE
门
STAT
7
3
2
6
8
1
LTC4414
PRIMARY
p-频道
场效应晶体管
C
输出
至 加载
状态 输出
drops 当 一个
wall adapter
是 呈现
47k
4414 f01
电池
cell(s)
WALL
ADAPTER
输入
*
*
AUXILIARY
p-频道
场效应晶体管
*drain-源 二极管 的 场效应晶体管
自动 powerpath 控制
这 产品 显示 在 计算数量 1 和 2 和 这 典型
应用 显示 在 这 第一 页 的 这个 数据 薄板 是
自动 完美的 二极管 控制者 那 需要 非 assis-
tance 从 一个 微控制器. 各自 的 这些 将 自动地-
cally 连接 这 高等级的 供应 电压, 之后 accounting
为 确实 二极管 向前 电压 drops, 至 这 加载 和
应用 的 这 高等级的 供应 电压.
这 典型 应用 显示 在 这 第一 页 在 这个 数据
薄板 illustrates 一个 应用 电路 为 自动
switchover 的 一个 加载 在 一个 电池 和 一个 wall adapter
或者 其它 电源 输入. 和 应用 的 这 电池, 这
加载 将 initially 是 牵引的 向上 用 这 流-源 二极管 的
这 p-频道 场效应晶体管. 作 这 ltc4414 comes 在
action, 它 将 控制 这 场效应晶体管’s 门 至 转变 它 在 和
减少 这 场效应晶体管’s 电压 漏出 从 一个 二极管 漏出 至
20mv. 这 系统 是 now 在 这 低 丧失 向前 regula-
tion 模式. 应当 这 wall adapter 输入 是 应用, 这
肖特基 二极管 将 拉 向上 这 sense 管脚, 连接 至 这
加载, 在之上 这 电池 电压 和 这 ltc4414 将 转变
这 场效应晶体管 止. 这 stat 管脚 将 然后 下沉 电流
表明 一个 auxiliary 输入 是 连接. 这 电池 是
now 供应 非 加载 电流 和 所有 这 加载 电流
flows 通过 这 肖特基 二极管. 一个 硅 二极管 可以 是
使用 instead 的 这 肖特基, 但是 将 结果 在 高等级的
电源 消耗 和 加热 预定的 至 这 高等级的 向前
电压 漏出.
图示 1 illustrates 一个 应用 电路 为 自动
switchover 的 加载 在 一个 电池 和 一个 wall adapter
那 特性 最低 电源 丧失. 运作 是 类似的 至 这
典型 应用 在 这 front 页 除了 那 一个
auxiliary p-频道 场效应晶体管 替代 这 二极管. 这
stat 管脚 是 使用 至 转变 在 这 场效应晶体管 once 这 sense
管脚 电压 超过 这 电池 电压 用 20mv. 当
这 wall adapter 输入 是 应用, 这 流-源 二极管 的
这 auxiliary 场效应晶体管 将 转变 在 第一 至 拉 向上 这
sense 管脚 和 转变 止 这 primary 场效应晶体管 followed 用
turning 在 的 这 auxiliary 场效应晶体管. once 这 auxiliary
场效应晶体管 有 转变 在 这 电压 漏出 横过 它 能 是
非常 低 取决于 在 这 场效应晶体管’s 特性.
图示 2 illustrates 一个 应用 电路 为 这 自动
switchover 的 一个 加载 在 一个 电池 和 一个 wall adapter
在 这 比较器 模式. 它 也 显示 如何 一个 电池
charger 能 是 连接. 这个 电路 differs 从 图示
1 在 这 方法 这 sense 管脚 是 连接. 这 sense 管脚
是 连接 直接地 至 这 auxiliary 电源 输入 和 不
这 加载. 这个 改变 forces 这 ltc4414’s 控制 cir-
cuitry 至 运作 在 一个 打开-循环 比较器 模式. 当
这 电池 供应 这 系统, 这 门 管脚 电压 将
是 强迫 至 它的 最低 clamped 潜在的, instead 的 正在
管制 至 维持 一个 20mv 漏出 横过 这 场效应晶体管.
这个 有 这 有利因素 的 降低 电源 丧失 在 这
场效应晶体管 用 降低 它的 r
在
和 不 having 这 influ-
ence 的 一个 直线的 控制 循环’s dynamics. 一个 可能
disadvantage 是 如果 这 auxiliary 输入 ramps 向上 慢
足够的 这 加载 电压 将 initially droop 在之前 rising.
典型 applicatio s
U
图示 1. 自动 switchover 的 加载 在 一个 电池 和 一个
wall adapter 和 auxiliary p-频道 场效应晶体管 为 最低 丧失
图示 2. 自动 switchover 的 加载 在
一个 电池 和 一个 wall adapter 在 比较器 模式
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