9
lt1057/lt1058
10578fb
安排好 时间 是 量过的 在 一个 测试 电路
这个 能
是 建立 在 这 lt1055/lt1056 数据 薄板 和 在
应用 便条 10.
实现 picoampere/microvolt 效能
在 顺序 至 realize 这 picoampere/microvolt 水平的 精度
的 这 lt1057/lt1058, 恰当的 小心 必须 是 exercised. 为
例子, 泄漏 电流 在 电路系统 外部 至 这 运算
放大 能 significantly 降级 效能. 高 质量
绝缘 应当 是 使用 (e.g., teflon
TM
, kel-f); cleaning
的 所有 insulating surfaces 至 除去 fluxes 和 其它
residues 将 probably 是 必需的. 表面 coating 将 是
需要 至 提供 一个 潮气 屏障 在 高 湿度
环境.
板 泄漏 能 是 使减少到最低限度 用 encircling 这 输入
电路系统 和 一个 守卫 环绕 运作 在 一个 潜在的 关闭 至
那 的 这 输入; 在 反相的 配置, 这 守卫
环绕 应当 是 系 至 地面, 在 同相 connec-
tions, 至 这 反相的 输入. guarding 两个都 sides 的 这
打印 电路 板 是 必需的. 大(量) 泄漏 减少
取决于 在 这 守卫 环绕 宽度.
这 lt1057/lt1058 有 这 最低 补偿 电压 的
任何 双 和 四方形 jfet 输入 运算 放大器 有 today.
不管怎样, 这 补偿 电压 和 它的 逐渐变化 和 时间 和
温度 是 安静的 不 作 好的 作 在 这 最好的 双极
放大器 (因为 这 跨导 的 fets 是
非常 更小的 比 那 的 双极 晶体管).
相反地, 这个 更小的 跨导 是 这 主要的 导致
的 这 significantly faster 速 效能 的 场效应晶体管 输入
运算 放大器.
补偿 电压 也 改变 somewhat 和 温度
cycling. 这 am grades 显示 一个 典型 40
µ
v hysteresis
(50
µ
v 在 这 m grades) 当 cycled 在 这 – 55
°
C
至
125
°
c 温度 范围. 温度 cycling 从 0
°
C
至 70
°
c 有 一个 negligible (较少 比 20
µ
v) hysteresis 效应.
这 补偿 电压 和 逐渐变化 效能 是 也 影响
用 包装. 在 这 塑料 n 包装, 这 塑造
复合 是 在 直接 联系 和 这 碎片, exerting
压力 在 这 表面. 当 npn 输入 晶体管 是
largely unaffected 用 这个 压力, jfet 设备 逐渐变化 是
degraded. consequently 为 最好的 逐渐变化 效能, 作
显示 在 这 典型 效能 特性 distri-
bution plots, 这 j 或者 h 包装 是 推荐.
在 产品 在哪里 速 和 picoampere 偏差 电流
是 不 需要, 直线的 技术 提供 这 双极
输入, 管脚 兼容 lt1013 和 lt1014 双 和 四方形
运算 放大器. 这些 设备 有 significantly 更好的 直流
规格 比 任何 jfet 输入 设备.
阶段 倒置 保护
大多数 工业 标准 jfet 输入 单独的, 双 和 四方形
运算 放大器 (e.g., lf156, lf351, lf353, lf411, lf412,
运算-15, 运算-16, 运算-215, tl084) 展览 阶段 倒置 在
这 输出 当 这 负的 一般 模式 限制 在 这
输入 是 超过 (i.e., 在下 – 12v 和
±
15v 供应).
这 photos 在下 显示 一个
±
16v sine 波 输入 (一个), 这
回馈 的 一个 lf412a 在 这 统一体 增益 追随着 模式 (b),
和 这 回馈 的 这 lt1057/lt1058 (c).
这 阶段 倒置 的 photo (b) 能 导致 锁-向上 在 伺服
系统. 这 lt1057/lt1058 做 不 阶段-反转
预定的 至 一个 唯一的 阶段 倒置 保护 电路.
(一个)
±
16v sine 波 输入 (c) lt1057/lt1058 输出(b) lf412a 输出
所有 photos 5v/div vertical 规模, 50
µ
s/div horizontal 规模
teflon 是 一个 商标 的 dupont.
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
: 点此下载
