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LTC1153
ltc1153 operatio
U
控制 门 上升 和 下降 时间
当 这 输入 是 切换 在 和 止, 这 门 是
charged 用 这 内部的 承担 打气 和 释放 在 一个
控制 manner. 这 承担 和 释放 比率 有
被 设置 至 降低 rfi 和 emi emissions 在 正常的
运作. 如果 一个 短的-电路 或者 电流 超载 情况
是 encountered, 这 门 是 释放 非常 quickly (typi-
cally 一个 few microseconds) 用 一个 大 n-频道 晶体管.
状态 输出 驱动器
这 状态 电路系统 continuously monitors 这 输入 和
这 门 承担 控制 逻辑. 这 打开-流 输出 是
驱动 低 当 这 输入 是 转变 在 和 这 breaker 是
latched 止. 这 状态 电路系统 是 重置 along 和 这 输入
获得 当 这 自动-重置 电路系统 retries 这 breaker 或者
这 输入 是 cycled 低.
图示 1. protecting resistive 负载
图示 2. protecting inductive 负载
大 inductive 负载 (>0.1mh) 将 需要 二极管 con-
nected 直接地 横过 这 inductor 至 safely divert 这
贮存 活力 至 地面. 许多 inductive 负载 有 这些
二极管 包含. 如果 不, 一个 二极管 的 这 恰当的 电流 比率
场效应晶体管 和 加载 保护
这 ltc1153 保护 这 电源 场效应晶体管 转变 用
removing 驱动 从 这 门 作 soon 作 一个 在-电流
情况 是 发现 和 breaking 这 电路 至 这 加载.
resistive 和 inductive 负载 能 是 保护 和 非
外部 时间 延迟 在 序列 和 这 流 sense 管脚. 高
inrush 电流 负载, 不管怎样, 需要 那 这 trip 延迟
时间 是 设置 长 足够的 至 开始 这 加载 但是 短的 足够的
至 确保 这 安全 的 这 场效应晶体管.
resistive 负载
负载 那 是 primarily resistive 应当 是 保护 和
作 短的 一个 延迟 作 可能 至 降低 这 数量 的 时间
那 这 场效应晶体管 转变 或者 这 加载 是 subjected 至 一个
超载 情况. 这 流 sense 电路系统 有 一个 建造-
在 trip 延迟 的 大概 10
µ
s 至 eliminate false
triggering 用 电源 供应 或者 加载 瞬时 情况.
这个 延迟 是 sufficient 至 “mask” 短的 加载 电流
过往旅客 和 这 开始 的 一个 小 电容 (<1
µ
f) 在
并行的 和 这 加载. 这 流 sense 管脚 能 因此 是
连接 直接地 至 这 流 电流 sense 电阻 作
显示 在 图示 1.
inductive 负载
负载 那 是 primarily inductive, 此类 作 接转, sole-
noids 和 stepper 发动机 windings 应当 是 保护
和 作 短的 一个 延迟 作 可能 至 降低 这 数量
的 时间 那 这 场效应晶体管 是 subjected 至 一个 超载
情况. 这 建造-在 10
µ
s trip 延迟 将 确保 那 这
breaker 是 不 false-tripped 用 一个 供应 或者 加载 瞬时.
非 外部 延迟 组件 是 必需的 作 显示 在
图示 2.
U
S
一个
O
PP
L
IC
在
I
WU
U
I 为 ATIO
IN
C
T
STATUS
地
V
S
DS
G
SD
LTC1153
C
T
0.22
µ
F
+
100
µ
F
IRFZ24
15V
R
加载
12
Ω
12V
C
加载
≤
1
µ
F
0.036
Ω
ltc1153 • f01
IN
C
T
STATUS
地
V
S
DS
G
SD
LTC1153
C
T
0.22
µ
F
+
100
µ
F
IRFZ24
15V
12v, 1a
SOLENOID
12V
1N5400
0.036
Ω
ltc1153 • f02