DS1315S-33_集成电路资料查询网

ds1315 phantom 时间 碎片
11 的 22
交流 电的 operating 特性
只读存储器/
内存
= v
CCO
 (0°c 至 70°c; v
CC
= 5.0 ± 10%)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
读 循环 时间 t
RC
65   ns
CEI
进入 时间
t
CO
55 ns 
OE
进入 时间
t
OE
55 ns 
CEI
至 输出 低 z
t
COE
5   ns
OE
至 输出 低 z
t
OEE
5   ns
CEI
至 输出 高 z
t
OD
25 ns 
OE
至 输出 高 z
t
ODO
25 ns 
地址 建制 时间 t
作
5   ns
地址 支撑 时间 t
AH
5   ns
读 恢复 t
RR
10   ns
写 循环 t
WC
65   ns
CEI
脉冲波 宽度
t
CW
55   ns
OE
脉冲波 宽度
t
OW
55   ns
写 恢复 t
WR
10   ns 4
数据 建制 t
DS
30   ns 5
数据 支撑 时间 t
DH
0   ns 5
RST
脉冲波 宽度
t
RST
65   ns
直流 运行 电的 特性
(0°c 至 70°c; v
CC
= 3.3 ± 10%)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
平均 v
CC
电源
供应 电流
I
CC1
 3 毫安 6
平均 v
CC
电源
供应 电流,
(v
CCO
= v
CCI
-0.3)
I
CC01
 100 毫安 7
ttl 备用物品 电流
(
CEI
= v
IH
)
I
CC2
 2 毫安 6
cmos 备用物品 电流
(
CEI
= v
CCI
-0.2)
I
CC3
 1 毫安 6
输入 泄漏 电流
(任何 输入)
I
IL
-1 +1 µA 
输出 泄漏 电流
(任何 输入)
I
LO
-1 +1 µA 
输出 逻辑 1 电压
(i
输出
= 0.4 毫安)
V
OH
2.4  V 2
输出 逻辑 0 电压
(i
输出
= 1.6 毫安)
V
OL
 0.4 V 2
电源-失败 trip 要点 V
PF
2.8 2.97 V 
电池 转变 电压 V
SW
V
BAT1
,
V
BAT2
,
或者 v
PF
14

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

ds1315 phantom 时间碎片 11 的 22 交流电的 operating 特性只读存储器/ 内存 = v CCO (0°c 至 70°c; v CC = 5.0 ± 10%) 参数标识最小值典型值最大值单位注释读循环时间 t RC 65 ns CEI 进入时间 t CO 55 ns OE 进入时间 t OE 55 ns CEI 至输出低 z t COE 5 ns OE 至输出低 z t OEE 5 ns CEI 至输出高 z t OD 25 ns OE 至输出高 z t ODO 25 ns 地址建制时间 t 作 5 ns 地址支撑时间 t AH 5 ns 读恢复 t RR 10 ns 写循环 t WC 65 ns CEI 脉冲波宽度 t CW 55 ns OE 脉冲波宽度 t OW 55 ns 写恢复 t WR 10 ns 4 数据建制 t DS 30 ns 5 数据支撑时间 t DH 0 ns 5 RST 脉冲波宽度 t RST 65 ns 直流运行电的特性 (0°c 至 70°c; v CC = 3.3 ± 10%) 参数标识最小值典型值最大值单位注释平均 v CC 电源供应电流 I CC1 3 毫安 6 平均 v CC 电源供应电流, (v CCO = v CCI -0.3) I CC01 100 毫安 7 ttl 备用物品电流 ( CEI = v IH ) I CC2 2 毫安 6 cmos 备用物品电流 ( CEI = v CCI -0.2) I CC3 1 毫安 6 输入泄漏电流 (任何输入) I IL -1 +1 µA 输出泄漏电流 (任何输入) I LO -1 +1 µA 输出逻辑 1 电压 (i 输出 = 0.4 毫安) V OH 2.4 V 2 输出逻辑 0 电压 (i 输出 = 1.6 毫安) V OL 0.4 V 2 电源-失败 trip 要点 V PF 2.8 2.97 V 电池转变电压 V SW V BAT1 , V BAT2 , 或者 v PF 14

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com