tps54611,TPS54612
tps54613, tps54614
tps54615, tps54616
SLVS400C
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8月 2001
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修订 april 2005
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和 波纹 特性, 但是 和 exceptional 瞬时
回馈. 瞬时 恢复 时间 是 典型地 在 这
范围 的 10
µ
s 至 20
µ
s.
pwm 控制
信号 从 这 错误 放大器 输出, 振荡器, 和
电流 限制 电路 是 processed 用 这 pwm 控制
逻辑. referring 至 这 内部的 块 图解, 这 控制
逻辑包含 这 pwm 比较器, 或者 门, pwm 获得,
和 portions 的 这 adaptive dead-时间 和 控制 逻辑
块. 在 稳步的-状态 运作 在下 这 电流
限制门槛, 这 pwm 比较器 输出 和 振荡器
脉冲波 train alternately 设置 和 重置 这 pwm 获得. once
这 pwm 获得 是 设置, 这 低-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 为 一个
最小持续时间 设置 用 这 振荡器 脉冲波 宽度. 在
这个 时期, 这 pwm ramp discharges 迅速 至 它的 valley
电压. 当 这 ramp begins 至 承担 后面的 向上, 这
低-一侧场效应晶体管 转变 止 和 高-一侧 场效应晶体管 转变 在. 作 这
pwm ramp 电压 超过 这 错误 放大器 输出
电压, 这 pwm 比较器 resets 这 获得, 因此
turning 止 这 高-一侧 场效应晶体管 和 turning 在 这 低-一侧
场效应晶体管. 这 低-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 直到 这 next 振荡器
脉冲波 discharges 这 pwm ramp.
在 瞬时 情况, 这 错误 放大器 输出
可以 是在下 这 pwm ramp valley 电压 或者 在之上 这
pwm 顶峰 电压. 如果 这 错误 放大器 是 高, 这 pwm
获得 是从不 重置, 和 这 高-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 直到
这 振荡器 脉冲波 信号 这 控制 逻辑 至 转变 这
高-一侧 场效应晶体管 止 和 这 低-一侧 场效应晶体管 在. 这 设备
运作 在它的 最大 职责 循环 直到 这 输出 电压
rises 至 这 规章制度 设置-要点, 设置 vsense 至
大概 这 一样 电压 作 v
ref
. 如果 这 错误
放大器输出 是 低, 这 pwm 获得 是 continually 重置
和 这 高-一侧 场效应晶体管 做 不 转变 在. 这 低-一侧 场效应晶体管
仍然是 在 直到 这 vsense 电压 减少 至 一个
范围 那准许 这 pwm 比较器 至 改变 states.
这 tps54611
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tps54616 设备 是 有能力 的
sinking 电流 continuously 直到 这 输出 reaches 这
规章制度 设置-要点.
如果 这 电流 限制 比较器 trips 为 变长 比 100 ns,
这 pwm 获得 resets 在之前 这 pwm ramp超过 这
错误 amplifier 输出. 这 高-一侧 场效应晶体管 转变 止 和 这
低-一侧场效应晶体管 转变 在 至 decrease 这 活力 在 这 输出
inductor 和 consequently decrease 这 输出 电流.
这个 处理 是 重复的 各自 循环 在 这个这 电流
限制 比较器 是 tripped.
dead-时间 控制 和 场效应晶体管 驱动器
adaptive dead-时间 控制 阻止 shoot-通过
电流 从 流 在 两个都 n-频道 电源 mosfets
在 这切换 transitions 用 actively controlling 这
turnon时间 的 这 场效应晶体管 驱动器. 这 高-一侧 驱动器
做不 转变 在 直到 这 电压 在 这 门 的 这 低-一侧
场效应晶体管 是 在下 2 v. 这 高-一侧 和 低-一侧 驱动器 是
设计和 300 毫安 源 和 下沉 能力 至 quickly
驱动 这 电源 mosfets 门. 这 低-一侧 驱动器 是
有提供的 从 vin, 当 这 高-一侧 驱动 是 有提供的
从 这 激励 管脚. 一个 自举 电路 使用 一个 外部
激励 电容 和 内部的 2.5-
Ω
自举 转变
连接 在 这 vin 和 激励 管脚. 这
整体的 自举转变 改进 驱动 效率 和
减少 外部 组件 计数.
overcurrent 保护
循环-用-循环电流 限制的 是 达到 用 感觉到 这
电流 流动 通过 这 高-一侧 场效应晶体管 和 一个
差别的放大器 和preset overcurrent 门槛. 这
高-一侧场效应晶体管 是 转变 止 在里面 200 ns 的reaching
这 电流 限制 门槛. 一个 100 ns leading 边缘 blanking
电路阻止 false tripping 的 电流 限制. 电流 限制
发现 occurs 仅有的 当 电流 flows 从 vin 至 ph
当 sourcing 电流 至 这 输出 过滤. 加载 保护
在 电流 下沉 运作 是 提供 用 热的
关闭.
热的 关闭
这 设备 使用 这 热的 关闭 至 转变 止 这 电源
mosfets 和 使不能运转 这 控制 如果 这 接合面
温度超过 150
°
c. 这 设备 是 released 从
关闭 当 这 接合面 温度 减少 至
10
°
c 在下 这 热的 关闭 trip 要点, 和 开始 向上
下面 控制 的 这 慢-开始 电路.热的 关闭
提供 保护 当 一个 超载 情况 是
sustained 为一些 milliseconds. 和 一个 persistent 故障
情况, 这 设备 循环 continuously: 开始 向上 用
控制 的这 慢-开始 电路, 加热 向上预定的 至 这 故障,
和 然后 关闭 向下 在之上 reaching 这 热的
关闭 trip 要点.
电源 好的 (pwrgd)
这 电源 好的 电路 monitors 为 下面 电压
情况 在 vsense. 如果 这 电压 在 vsense falls
10% 在下 这 涉及 电压, 这 打开-流 pwrgd
输出 是 牵引的 低. pwrgd 是 也 牵引的 低 如果 vin 是
较少 比 这 uvlo 门槛, 或者 ss/ena 是 低, 或者
热的 关闭 是 asserted. 当 vin = uvlo
门槛, ss/ena = 使能 门槛, 和 vsense >
90% 的 v
ref
, 这 打开 流 输出 的 这 pwrgd 管脚 是
高. 一个hysteresis 电压 equal 至 3% 的 v
ref
和 一个 35-
µ
s
下落 边缘 deglitch 电路 阻止 tripping 的 这 电源
好的 比较器 预定的 至 高-频率 噪音.
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