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半导体 组件 industries, llc, 2005
二月, 2005
−
rev. xxx
1
发行 顺序 号码:
mgp19n35cl/d
mgp19n35cl,
MGB19N35CL
preferred 设备
ignition igbt
19 放大器, 350 伏特
N
−
频道 至
−
220 和 d
2
PAK
这个 逻辑 水平的 insulated 门 双极 晶体管 (igbt) 特性
大而单一的 电路系统 integrating 静电释放 和 在
−
电压 clamped
保护 为 使用 在 inductive coil 驱动器 产品. primary 使用
包含 ignition, 直接 fuel injection, 或者 wherever 高 电压 和
高 电流 切换 是 必需的.
•
完美的 为 igbt
−
在
−
coil 或者 distributorless ignition 系统
产品
•
高 搏动 电流 能力 向上 至 50 一个
•
门
−
发射级 静电释放 保护
•
温度 补偿 门
−
集电级 电压 clamp 限制
压力 应用 至 加载
•
整体的 静电释放 二极管 保护
•
低 门槛 电压 至 接口 电源 负载 至 逻辑 或者
微处理器 设备
•
低 饱和 电压
•
optional 门 电阻 (r
G
)
最大 比率
(
−
55
°
C
≤
T
J
≤
175
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
集电级
−
发射级 电压 V
CES
380 V
直流
集电级
−
门 电压 V
CER
380 V
直流
门
−
发射级 电压 V
GE
22 V
直流
集电级 电流
−
持续的
@ t
C
= 25
°
C
−
搏动
I
C
19
50
一个
直流
一个
交流
静电释放 (人 身体 模型)
r = 1500
Ω
, c = 100 pf
静电释放
8.0
kV
静电释放 (机器 模型) r = 0
Ω
, c = 200 pf 静电释放 800 V
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
165
1.1
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至
175
°
C
unclamped 集电级
−
至
−
发射级 avalanche
特性
(
−
55
°
C
≤
T
J
≤
175
°
c)
典型的
标识 值 单位
单独的 脉冲波 集电级
−
至
−
发射级 avalanche
活力
V
CC
= 50 v, v
GE
= 5.0 v, pk i
L
= 22.4 一个,
l = 2.0 mh, 开始 t
J
= 25
°
C
V
CC
= 50 v, v
GE
= 5.0 v, pk i
L
= 17.4 一个,
l = 2.0 mh, 开始 t
J
= 150
°
C
E
作
500
300
mJ
反转 avalanche 活力
V
CC
= 100 v, v
GE
= 20 v, l = 3.0 mh,
pk i
L
= 25.8 一个, 开始 t
J
= 25
C
E
作(r)
1000
mJ
1
门
3
发射级
4
集电级
2
集电级
1
门
3
发射级
4
集电级
2
集电级
至
−
220AB
情况 221a
样式 9
1
2
3
4
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
G19N35CL = 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
G19N35CL
YWW
G19N35CL
YWW
1
2
3
4
D
2
PAK
情况 418b
样式 4
设备 包装 Shipping
订货 信息
MGP19N35CL 至
−
220 50 单位/栏杆
MGB19N35CLT4 D2PAK 800 录音带 &放大; 卷轴
C
E
G
19 amperes
350 伏特 (clamped)
V
ce(在)
@ 10 一个 = 1.8 v 最大值
http://onsemi.com
N
−
频道
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
R
GE
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