mgp19n35cl, mgb19n35cl
http://onsemi.com
2
热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.9
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 至
−
220 R
θ
JA
62.5
D
2
pak (便条 1.) R
θ
JA
50
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 5 秒 T
L
275
°
C
电的 特性
典型的 标识 测试 情况 温度 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级
−
发射级 clamp 电压 BV
CES
I
C
= 2.0 毫安 T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
320 350 380
V
直流
I
C
= 10 毫安 T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
330 360 380
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V 300 v
T
J
= 25
°
C
−
1.5 20
µ
一个
直流
g
CES
V
CE
= 300 v,
V
GE
=0 v
T
J
= 150
°
C
−
15 40*
µ
直流
V
GE
=0 v
T
J
=
−
40
°
C
−
0.7 1.5
反转 集电级
−
发射级 泄漏 电流 I
ECS
V 24 v
T
J
= 25
°
C
−
0.35 1.0
mAg
ECS
V
CE
=
−
24 v
T
J
= 150
°
C
−
10 20*
T
J
=
−
40
°
C
−
0.05 0.5
反转 集电级
−
发射级 clamp 电压 B
vces(r)
I 75 一个
T
J
= 25
°
C 25 33 50
V
直流
pg
vces(r)
I
C
=
−
75 毫安
T
J
= 150
°
C 25 36 50
直流
T
J
=
−
40
°
C 25 30 50
门
−
发射级 clamp 电压 BV
GES
I
G
= 5.0 毫安 T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
17 20 22 V
直流
门
−
发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= 10 v T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
384 500 1000
µ
一个
直流
门 电阻 (optional) R
G
−
T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
−
70
−
Ω
门 发射级 电阻 R
GE
−
T
J
=
−
40
°
c 至
150
°
C
10 20 26
k
Ω
在 特性
(便条 2.)
门 门槛 电压
V
ge(th)
I 10 一个
T
J
= 25
°
C 1.4 1.7 2.0
V
直流
g
ge(th)
I
C
= 1.0 毫安,
V
GE
= v
CE
T
J
= 150
°
C 0.75 1.1 1.4
直流
V
GE
=V
CE
T
J
=
−
40
°
C 1.6 1.9 2.1*
门槛 温度 系数
(负的)
− − − −
4.4
−
mv/
°
C
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
*maximum 值 的 典型的 横过 温度 范围.
: 点此下载
