©2002 仙童 半导体 公司 rev. b, january 2002
isl9n310ap3/isl9n310as3st/isl9n310as3
图示 5. 转移 特性 图示 6. 饱和 特性
图示 7. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 8. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 9. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 10. normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
典型 典型的
(持续)
0
20
40
60
80
100
120
12341
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
20
40
60
80
100
120
0 0.5 1.0 1.5 2.0
40
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 5v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 3v
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10v
5
10
15
20
25
246810
I
D
= 10a
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= 62a
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
Ω
)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.5
1.0
1.5
2.0
-80
-40
0
40 80
120 160 200
-40
-40 40 80
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 62a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80 0 40 80 120 160 200-40 0
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
门槛 电压
0.9
1.0
1.1
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 2000
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
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