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资料编号:1118232
 
资料名称:2SD882
 
文件大小: 91K
   
说明
 
介绍:
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
 
 


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2SD882
2 电的 特性
3/9
2 电的 特性
表格 3.
电的 特性
(t
情况
= 25°c; 除非 否则 指定)
便条: 1 搏动 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
1.5%.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
集电级 截-止 电流
(v
= 0)
V
CE
= 60 v
10 µA
I
CEO
集电级 截-止 电流
(i
B
= 0)
V
CE
= 30 v
100 µA
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= 5 v
10 µA
V
(br)ceo
便条: 1
集电级-发射级 损坏
Voltage
(i
B
= 0 )
I
C
= 10 毫安
30 V
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏
Voltage
(i
E
= 0 )
I
C
= 100 µa
60 V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压
(i
C
= 0 )
I
E
= 100 µa
5V
V
ce(sat)
便条: 1
集电级-发射级 饱和
Voltage
I
C
= 1一个 i
B
= 50 毫安
I
C
= 2一个 i
B
= 100 毫安
I
C
= 3一个 i
B
= 150 毫安
0.4
0.7
1.1
V
V
V
V
是(sat)
便条: 1
根基-发射级 饱和 电压
I
C
= 2一个 i
B
= 100 毫安
1.2 V
hFE 直流 电流 增益
I
C
= 100 毫安 v
CE
= 2 v
I
C
= 1一个 v
CE
= 2 v
I
C
= 3一个 v
CE
= 2 v
100
80
30
300
fT 转变 频率
I
C
= 0.1 一个 v
CE
= 10 v
100 MHz
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