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资料编号:1118717
 
资料名称:NTZD3154N
 
文件大小: 114K
   
说明
 
介绍:
Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SOT-563
 
 


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3
电的 特性
(v
CC
= 12 v, t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
标识
特性 最小值 Typ 最大值 单位
电源 场效应晶体管
V
BRDSS
drain−to−source 损坏 电压
(门 管脚 系 至 地面, i
D
= 1 毫安)
80 V
I
DSS
drain−to−source 泄漏 电流
(门 管脚 系 至 地面, v
DS
= 80 v)
10
一个
V
SD
source−drain 身体 二极管
(向前 on−voltage)
1.1 V
RDS
在 阻抗
(i
D
= 100 毫安, 使能 打开, isense 系 至 地面) SO−8
(i
D
= 1.0 一个, 使能 打开, isense 系 至 地面) DPAK
2500
375
3000
450
3500
525
m
电流 规章制度
I
LED
(v
LED
=3.5 v, r
sense
=1.2
, c
=100
f, l=330
pullup
=1.1 k
) SO−8
(v
LED
=3.5 v, r
sense
=tbd, c
=100
f, l=tbd, r
pullup
=tbd) DPAK
297
630
330
700
363
770
毫安
t
Offmax
最大 止 时间 TBD
s
t
Offmin
最小 止 时间 TBD
s
热的 关闭
T
SD
热的 限制 关闭 温度, (便条 2) 150
°
C
T
hyst
热的 hysteresis 30
°
C
使能/pwm
V
ENhigh
逻辑 水平的 高, (turn−on) 2.1 V
V
ENlow
逻辑 水平的 低, (turn−off) 1.9 V
f
PWM
pwm 频率, (便条 2) 100 Hz
R
pullup
内部的 拉 向上 阻抗, (terminated 至 一个 7.7 v 源) 400 500 600
k
偏差 供应 (v
CC
)
I
偏差
偏差 电流 (vcc=12 v, 使能 &放大; 门 打开, i
sense
=1.2
, 非 加载)
1.0 毫安
V
最小值
最小 运行 电压 8.0 V
2. 核实 用 设计.
3. non−repetitive 加载 丢弃 脉冲波 每 图示 3.
4. 测试 和 一个 加载 = 一个 led (vf = 3.5 v, 如果 = 0.350 ma).
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