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资料编号:1118733
 
资料名称:NTS2101P
 
文件大小: 116K
   
说明
 
介绍:
Small Signal MOSFET -8 V, -1.4 A, Single P Channel SC-70
 
 


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NTR2101P
http://onsemi.com
3
0
2
4
6
8
10
012345
V
GS
=
2.6 v 至
6.0 v
V
GS
=
2.4 v
V
GS
=
2.2 v
V
GS
=
2.0 v
V
GS
=
1.8 v
V
GS
=
1.4 v
V
GS
=
1.2 v
V
DS
, 流
源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
图示 1. 在
区域 特性
0
2
4
6
8
10
01234
T
J
= 25
°
C
V
GS
, 门
源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
图示 2. 转移 特性
V
DS
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
T
J
=
55
°
C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0123456
V
GS
, 门
源 电压 (v)
R
ds(在)
, 流
源 阻抗 (
)
图示 3. 在
阻抗 相比
源 电压
I
D
=
3.7 一个
T
J
= 25
°
C
0
0.02
0.04
0.06
0.08
2345678
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, 流
源 阻抗 (
)
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
=
55
°
C
图示 4. 在
阻抗 相比 流 电流
和 门 电压
V
GS
=
4.5 v
0.8
0.9
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
50
25 0 25 50 75 100 125 150
1.0
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
R
ds(在)
, 流
阻抗 (normalized)
图示 5. 在
阻抗 变化 和
温度
I
D
=
3.7 一个
V
GS
=
4.5 v
100
1000
10000
100000
02468
V
DS
, 流
源 电压 (伏特)
图示 6. 流
源 泄漏 电流
相比 电压
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
I
DSS
, 泄漏 (na)
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