ntp60n06l, ntb60n06l
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3
0.03
0.022
0.018
0.01
40200
0.006
12060
0.014
V
DS
= 5 v
80 100
0.026
0
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
= 10 v
图示 1. on−region 特性
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
120
60
40
20
53210
图示 2. 转移 特性
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
64321
120
60
40
20
0
0
图示 3. on−resistance 相比 gate−to−source
电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
0.03
0.022
0.018
0.01
40200
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
0.006
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
1751251007550250−25−50
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
100
1000
100
10
0.6
10,000
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
12060
0.014
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
20 60
4
30 40 50
3 v
3.5 v
4 v
8 v
6 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 v
I
D
= 30 一个
V
GS
= 5 v
T
J
= 150
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 100
°
C
80
100
80
100
5
80 100
150
T
J
= 125
°
C
4.5 v
5 v
0.026
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