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资料编号:1118761
 
资料名称:NTMS5P02R2
 
文件大小: 44K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET -20 V, -5.4 A, Single P-Channel SO-8
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ntp10n40, ntb10n40
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 0.25 madc)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
400
475
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 集电级 电流
(v
DS
= 400 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 400 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
=125
°
c)
I
DSS
10
100
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20
vdc, v
DS
= 0) I
gss(f)
I
gss(r)
100
100
nAdc
在 特性
(便条 2.)
门 门槛 电压
I
D
= 0.25 毫安, v
DS
= v
GS
温度 系数 (负的)
V
gs(th)
2.0
2.5
6.5
4.0
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain–to–source on–resistance (v
GS
= 10 vdc, i
D
= 5.0 模数转换器) R
ds(在)
350 500 mOhm
drain–to–source on–voltage
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 10 模数转换器)
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 5.0 模数转换器, t
J
= 125
°
c)
V
ds(在)
6.0
5.3
Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 15 vdc, i
D
= 5.0 模数转换器) g
FS
2.0 7.0 Mhos
动态 特性
输入 电容
(v 25 Vd V 0 Vd
C
iss
1440 2020 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz
)
C
oss
360 500
转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
15 30
切换 特性
(便条 3.)
turn–on 延迟 时间
t
d(在)
10 20 ns
上升 时间
(v
DD
= 200 vdc, i
D
= 10 模数转换器,
V
GS
=10Vdc
t
r
20 40
turn–off 延迟 时间
V
GS
= 10 vdc,
R
G
= 9.1
Ω)
t
d(止)
33 70
下降 时间
R
G
9.1
Ω)
t
f
24 50
门 承担
Q
T
24 30 nC
(v
DS
= 320 vdc, i
D
= 10 模数转换器,
Q
1
6.0
(v
DS
320vdc,I
D
10模数转换器,
V
GS
= 10 vdc)
Q
2
7.0
Q
3
12
source–drain 二极管 特性
S
= 10 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
= 10 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
V
SD
0.9
0.8
1.1
Vdc
反转 恢复 时间
t
rr
305
ns
(i
S
10 模数转换器 V
GS
0 Vdc
t
一个
155
(i
S
= 10 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
b
150
反转 恢复 贮存
承担
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
Q
RR
2.5
µ
C
内部的 流 电感
(量过的 从 联系 screw 在 tab 至 中心 的 消逝)
(量过的 从 这 流 含铅的 0.25
从 包装 至 中心 的 消逝)
L
D
3.5
4.5
nH
内部的 源 电感
(量过的 从 这 源 含铅的 0.25
从 包装 至 源 bond 垫子)
L
S
7.5
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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