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资料编号:1118782
 
资料名称:NTMD6P02R2
 
文件大小: 43K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTMD4102PR2
http://onsemi.com
3
包装 维度
soic-8 NB
情况 751-07
公布 aa
SEATING
平面
1
4
58
N
J
x 45
K
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: millimeter.
3. 维度 一个 和 b 做 不 包含 模型
protrusion.
4. 最大 模型 protrusion 0.15 (0.006) 每
一侧.
5. 维度 d 做 不 包含 dambar
protrusion. 容许的 dambar
protrusion 将要 是 0.127 (0.005) 总的 在
excess 的 这 d 维度 在 最大
材料 情况.
6. 751−01 thru 751−06 是 废弃的. 新
标准 是 751−07.
一个
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
英寸
4.80 5.00 0.189 0.197
毫米
B
3.80 4.00 0.150 0.157
C
1.35 1.75 0.053 0.069
D
0.33 0.51 0.013 0.020
G
1.27 bsc 0.050 bsc
H
0.10 0.25 0.004 0.010
J
0.19 0.25 0.007 0.010
K
0.40 1.27 0.016 0.050
M
0 8 0 8
N
0.25 0.50 0.010 0.020
S
5.80 6.20 0.228 0.244
-x-
-y-
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
-z-
Y
M
0.25 (0.010) Z
S
X
S
M

样式 12:
管脚 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
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