绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (便条 1) 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
电压 在 任何 输入 管脚 V
DD
+ 0.3v
≥
V
≥
地 - 0.3v
电源 消耗 (便条 3) 内部 限制
静电释放 susceptibility, 所有 其它 管脚 (便条 4) 2.0kv
静电释放 Susceptibility (便条 5) 200V
接合面 温度 (t
JMAX
) 150˚C
热的 阻抗
θ
JA
(微观的 smd) 220˚c/w
焊接 信息
看 一个-1112 "microsmd Wafers 水平的 碎片 规模
包装."
运行 比率
(便条 1) (便条 2)
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.4v
≤
V
DD
≤
5.5v
电的 特性
(注释 1, 2)
这 下列的 规格 应用 为 一个
V
= 2v/v (r
I
= 150k
Ω
), R
L
=15µH+8
Ω
+ 15µH 除非 否则 指定. 限制 ap-
ply 为 T
一个
= 25˚c.
标识 参数 情况
LM4671
单位
(限制)
典型 限制
(便条 6) (注释 7, 8)
|V
OS
| 差别的 输出 补偿 电压
V
I
= 0v, 一个
V
= 2v/v,
V
DD
= 2.4v 至 5.0v
5 mV (最大值)
PSRR
GSM
GSM 电源 供应 拒绝 比率 V
DD
= 2.4v 至 5.0v 61 dB (最小值)
CMRR
GSM
GSM 一般 模式 拒绝
比率
V
DD
= 2.4v 至 5.0v
V
IC
=V
DD
/2 至 0.5v,
V
IC
=V
DD
/2 至 V
DD
– 0.8v
68 dB (最小值)
|I
IH
| 逻辑 高 输入 电流 V
DD
= 5.0v, V
I
= 5.5v 17 100 µA (最大值)
|I
IL
| 逻辑 低 输入 电流 V
DD
= 5.0v, V
I
= –0.3v 0.9 5 µA (最大值)
V
在
= 0v, 非 加载, V
DD
= 5.0v 6.4 毫安 (最大值)
I
DD
安静的 电源 供应 电流 V
在
= 0v, 非 加载, V
DD
= 3.6v 3.8 6.2 毫安
V
在
= 0v, 非 加载, V
DD
=2.4v 2.0 3.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流
V
关闭
=0V
V
DD
= 2.4v 至 5.0v
0.01 1 µA (最大值)
V
SDIH
关闭 电压 输入 高 1.2 1.4 V (最小值)
V
SDIL
关闭 电压 输入 低 1.1 0.4 V (最大值)
R
OSD
输出 阻抗 V
关闭
= 0.4v 100 k
Ω
一个
V
增益 300k
Ω
/r
I
270k
Ω
/r
I
330k
Ω
/r
I
v/v (最小值)
v/v (最大值)
R
SD
阻抗 从 关闭 管脚 至
地
300 k
Ω
P
O
输出 电源
R
L
=15µH+4
Ω
+ 15µH
THD = 10% (最大值)
f = 1khz, 22kHz BW
V
DD
=5V
V
DD
= 3.6v
V
DD
= 2.5v
2.5
1.3
520
W
W
mW
R
L
=15µH+4
Ω
+ 15µH
THD = 1% (最大值)
f = 1khz, 22kHz BW
V
DD
=5V
V
DD
= 3.6v
V
DD
= 2.5v
2.21
1.06
420
W
W
mW
LM4671
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