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资料编号:1120878
 
资料名称:KHB011N40F1
 
文件大小: 71K
   
说明
 
介绍:
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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2005. 10. 24 3/6
khb1d0n60d/i
修订 非 : 1
normalized 门槛 电压 v
th
门 - 源 电压 v
GS
(v)
I
D
- v
DS
流 - 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
-1
684102
I
D
- v
GS
V
th
- t
j
R
ds(在)
- i
D
R
ds(在)
- t
j
-100 -50
0.0
0.5
1.5
1.0
050
100
150
流 电流 i
D
(一个)
流 电流 i
D
(一个)
在 - 阻抗 r
ds(在)
(
)
I
S
- v
SD
0.2 0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.60.6
反转 流 电流 i
S
(一个)
接合面 temperture t
j
( )
0
0
50
40
20
10
30
0.0 0.9 2.71.5 2.10.3 1.2 2.41.8
50-100 -50 100 150
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
接合面 温度 tj ( )
C
源 - 流 电压 v
SD
(v)
0.0
0.5
2.5
1.0
1.5
2.0
C
25
C
1
50
C
150
C
25
C
-55
C
V
GS
= 0v
I
DS
= 250
V
GS
= 10v
I
DS
= 1.0a
10
0
10
-1
V
GS
顶 : 15.0 v
10.0 v
8.0 v
7.0 v
6.5 v
6.0 v
5.5 v
5.0 v
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