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资料编号:1121131
 
资料名称:IS45S16100C1
 
文件大小: 86K
   
说明
 
介绍:
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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1-800-379-4774
5
rev. 一个
09/26/05
ISSI
®
IS61C3216AL
IS61C3216AL
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-12 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
CC
1
V
DD
运行 V
DD
= v
DD
最大值
.,
CE
= v
IL
com.
—40 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = 0
ind.
—45
I
CC
2
V
DD
动态 运行 V
DD
= v
DD
最大值
.,
CE
= v
IL
com.
—50 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind.
—55
典型值
(2)
35
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
DD
= v
DD
最大值
.,
com.
—1 毫安
(ttl 输入) V
= v
IH
或者 v
IL
ind.
—1
CE
V
IH
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
DD
= v
DD
最大值
.,
com.
350 µA
电流 (cmos 输入)
CE
V
DD
– 0.2v,
ind.
400
V
V
DD
– 0.2v, 或者 典型值
(2)
200
V
0.2v, f = 0
便条:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
2. 典型 值 是 量过的 在 v
DD
= 5v, t
一个
= 25
o
c 和 不 100% 测试.
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