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资料编号:1121215
 
资料名称:IS24C02B
 
文件大小: 50K
   
说明
 
介绍:
1K-bit/2K-bit 2-WIRE SERIAL CMOS EEPROM
 
 


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10
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
先进的 信息 rev. 00B
07/02/02
is24c128-2/3
is24c256-2/3
ISSI
®
直流 电的 特性
标识 参数 测试 conditions 最小值 最大值 单位
V
OL
1
输出 低 电压 V
CC
= 1.8v, i
OL
= 0.15 毫安 0.2 V
V
OL
2
输出 低 电压 V
CC
= 2.5v, i
OL
= 1.0 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 V
CC
X
0.7 V
CC
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压 –1.0 V
CC
X
0.3 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
= v
CC
最大值 3 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 3 µA
注释:
V
IL
最小值 和 v
IH
最大值 是 涉及 仅有的 和 是 不 测试.
电源 供应 特性
标识 参数 测试情况 最小值 最大值 单位
I
CC
1
vcc 运行 电流 读 在 100 khz (vcc = 5v) 1.0 毫安
I
CC
2
vcc 运行 电流 写 在 100 khz (vcc = 5v) 3.0 毫安
I
SB
1
备用物品 电流 vcc = 1.8v, vcc = 2.5v 1 µA
I
SB
2
备用物品 电流 vcc = 5.5v 6 µA
交流 电的 特性
1.8v 2.5v 5.0v
标识 参数(测试 情况) 最小值 最大值 Min. 最大值 最小值 最大值 单位
f
SCL
scl 时钟 频率 0 100 0 400 0 1000 KHz
T 噪音 抑制 时间
(1)
100 50 50 ns
t
时钟 低 时期 4.7 1.2 0.6 µs
t
时钟 高 时期 4 0.6 0.4 µs
t
BUF
总线 自由 时间 在之前 新 传递
(1)
4.7 1.2 0.5 µs
t
su:sta
开始 情况 建制 时间 4.7 0.6 0.25 µs
t
su:sto
停止 情况 建制 时间 4.7 0.6 0.25 µs
t
hd:sta
开始 情况 支撑 时间 4 0.6 0.25 µs
t
hd:sto
停止 情况 支撑 时间 4 0.6 0.6 µs
t
su:dat
数据 在 建制 时间 200 100 100 ns
t
hd:dat
数据 在 支撑 时间 0 0 0 ns
t
DH
数据 输出 支撑 时间
(scl 低 至 sda 数据 输出 改变)
100 50 50 ns
t
AA
时钟 至 输出 (
scl 低 至 sda 数据 输出 有效的)
0.1 4.5 0.1 0.9 0.1 0.55 µs
t
R
scl 和 sda 上升 时间
(1)
1000 300 300 ns
t
F
scl 和 sda 下降 时间
(1)
300 300 100 ns
t
WR
写 循环 时间 10 5 5 ms
便条:
1. 这个 参数 是 典型 但是 不 100% 测试.
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