9
消逝 特性
基质 潜在的 (powered 向上):
地
晶体管 计数:
icl3207: 469
icl3217: 488
处理:
si 门 cmos
典型 效能 曲线
V
CC
= 3.3v, t
一个
= 25°c
图示 10. 传输者 输出 电压 vs 加载
电容
图示 11. 回转 比率 vs 加载 电容
图示 12. 供应 电流 vs 加载 电容
当 transmitting 数据
图示 13. 供应 电流 vs 供应 电压
-6.0
-4.0
-2.0
0
2.0
4.0
6.0
1000 2000 3000 4000 50000
加载 电容 (pf)
传输者 输出 电压 (v)
1 传输者 在 250kbps
V
输出
+
V
输出
-
其它 传输者 在 30kbps
加载 电容 (pf)
回转 比率 (v/
µ
s)
0 1000 2000 3000 4000 5000
5
10
15
20
25
+SLEW
-回转
-回转
50
55
15
20
25
30
45
35
40
0 1000 2000 3000 4000 5000
加载 电容 (pf)
供应 电流 (毫安)
20kbps
250kbps
120kbps
1 传输者 切换
供应 电流 (毫安)
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
供应 电压 (v)
2.5
3.0
3.5
非 加载
所有 输出 静态的
icl3207, icl3217
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