HIN208ECBZ-T_集成电路资料查询网

13
fn4315.16
十一月 4, 2005
消逝 特性
敷金属:
类型: Al
厚度: 10k
Å
±
1k
Å
基质 潜在的
地
passivation:
类型: 渗氮 在 silox
渗氮 厚度: 8k
Å
silox 厚度: 7k
Å
晶体管 计数:
185
处理:
cmos metal 门
敷金属 掩饰 布局
HIN232E
管脚 1 C1+
管脚 2 V+
c1-
管脚 7
管脚 17 V
CC
管脚 3
C2+
管脚 4
c2-
管脚 5
v-
管脚 6
T2
在
管脚 11
T1
在
管脚 12
R1
输出
管脚 13
R1
在
管脚 14
T1
输出
管脚 15
地
管脚 16
T2
输出
管脚 8R2
在
管脚 9T3
输出
管脚 10R2
输出
hin202e, hin206e, hin207e, hin208e, hin211e, hin213e, hin232e

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13 fn4315.16 十一月 4, 2005 消逝特性敷金属: 类型: Al 厚度: 10k Å ± 1k Å 基质潜在的地 passivation: 类型: 渗氮在 silox 渗氮厚度: 8k Å silox 厚度: 7k Å 晶体管计数: 185 处理: cmos metal 门敷金属掩饰布局 HIN232E 管脚 1 C1+ 管脚 2 V+ c1- 管脚 7 管脚 17 V CC 管脚 3 C2+ 管脚 4 c2- 管脚 5 v- 管脚 6 T2 在管脚 11 T1 在管脚 12 R1 输出管脚 13 R1 在管脚 14 T1 输出管脚 15 地管脚 16 T2 输出管脚 8R2 在管脚 9T3 输出管脚 10R2 输出 hin202e, hin206e, hin207e, hin208e, hin211e, hin213e, hin232e

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