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资料编号:1123745
 
资料名称:MW4IC2020NBR1
 
文件大小: 208K
   
说明
 
介绍:
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
 
 


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MRFG35010NT1
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
图示 1. 3.5 ghz 测试 电路 图式
Z11 0.400
x 0.215
Microstrip
Z12 0.025
x 0.497
Microstrip
Z13 0.025
x 0.271
Microstrip
Z14 0.025
x 0.363
Microstrip
Z15 0.025
x 0.041
Microstrip
Z16 0.045
x 0.050
Microstrip
Z17 0.045
x 0.467
Microstrip
PCB rogers 4350, 0.020
,
ε
r
= 3.5
Z1 0.045
x 0.689
Microstrip
Z2 0.045
x 0.089
Microstrip
Z3 0.020
x 0.360
Microstrip
Z4 0.045
x 0.029
Microstrip
Z5 0.045
x 0.061
Microstrip
Z6 0.045
x 0.055
Microstrip
Z7 0.300
x 0.125
Microstrip
z8, z10 0.146
x 0.070
Microstrip
Z9 0.025
x 0.485
Microstrip
C11
RF
输入
RF
输出
R1
C10 C9 C8 C7 C6 C5 C18 C17 C16 C15 C14 C13 C12
C4
Z9
C1
C20
Z1 Z2 Z3 Z5 Z6 Z7 Z10 Z11 Z13 Z14 Z17
V
供应
V
偏差
C2
Z4
C3
Z8
C19
Z12
C22 C21
Z15 Z16
表格 5. 3.5 ghz 测试 电路 组件 designations 和 值
部分 描述 部分 号码 生产者
c1, c21, c22 0.5 pf 碎片 电容 08051J0R5BBT AVX
C2 0.2 pf 碎片 电容 06035J0R2BBT AVX
C3 0.5 pf 碎片 电容 06035J0R5BBT AVX
c4, c19, c20 6.8 pf 碎片 电容 08051J6R8BBT AVX
c5, c18 10 pf 碎片 电容 100A100JP150X C
c6, c17 100 pf 碎片 电容 100A101JP150X C
c7, c16 100 pf 碎片 电容 100B101JP500X C
c8, c15 1000 pf 碎片 电容 100B102JP50X C
c9, c14 0.1
µ
f 碎片 电容 CDR33BX104AKWS Kemet
c10, c13 39k pf 碎片 电容 200B393KP50X C
c11, c12 10
µ
f 碎片 电容 GRM55DR61H106KA88B Kemet
R1 47
碎片 电阻 D55342M07B47JOR Newark
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