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资料编号:1123779
 
资料名称:MRF6S9130H
 
文件大小: 468K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s9160hr3 mrf6s9160hsr3
图示 16. 序列 相等的 源 和 加载 阻抗
f
MHz
Z
Z
加载
850
865
880
1.20 + j0.03
1.31 + j0.22
1.26 + j0.15
0.61 -j1.27
0.66 -j1.15
0.64 -j1.05
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 1200 毫安, p
输出
= 35 w avg.
Z
o
= 2
Z
加载
f = 850 mhz
Z
= 测试 电路 阻抗 作 量过的 从
门 至 地面.
Z
加载
= 测试 电路 阻抗 作 量过的
从 流 至 地面.
Z
Z
加载
输入
相一致
网络
设备
下面
测试
输出
相一致
网络
f = 910 mhz
Z
895
910 1.26 + j0.32
1.32 + j0.280.55 -j0.90
0.48 -j0.74
f = 850 mhz
f = 910 mhz
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