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资料编号:1123779
 
资料名称:MRF6S9130H
 
文件大小: 468K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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mrf6s9160hr3 mrf6s9160hsr3
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 4. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
典型 gsm 边缘 performances
(在 freescale gsm 边缘 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 1200 毫安,
P
输出
= 76 w avg., 865 mhz<频率<895 mhz
电源 增益 G
ps
20 dB
流 效率
η
D
45 %
错误 vector 巨大 EVM 2 % rms
谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 SR1 -66 dBc
谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 SR2 -75 dBc
典型 cw performances
(在 freescale gsm 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 1200 毫安, p
输出
= 160 w,
921 mhz<频率<960 mhz
电源 增益 G
ps
20 dB
流 效率
η
D
58 %
输入 返回 丧失 IRL -12 dB
P
输出
@ 1 db 压缩 要点, cw
(f = 940 mhz)
P1dB 160 W
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