mrf6s9160hr3 mrf6s9160hsr3
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
表格 4. 电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
(持续)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
典型 gsm 边缘 performances
(在 freescale gsm 边缘 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 1200 毫安,
P
输出
= 76 w avg., 865 mhz<频率<895 mhz
电源 增益 G
ps
— 20 — dB
流 效率
η
D
— 45 — %
错误 vector 巨大 EVM — 2 — % rms
谱的 regrowth 在 400 khz 补偿 SR1 — -66 — dBc
谱的 regrowth 在 600 khz 补偿 SR2 — -75 — dBc
典型 cw performances
(在 freescale gsm 测试 fixture, 50
ο
hm 系统) v
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 1200 毫安, p
输出
= 160 w,
921 mhz<频率<960 mhz
电源 增益 G
ps
— 20 — dB
流 效率
η
D
— 58 — %
输入 返回 丧失 IRL — -12 — dB
P
输出
@ 1 db 压缩 要点, cw
(f = 940 mhz)
P1dB — 160 — W